电晶体单元

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910135288.2

申请日：

2009-05-12

公开(公告)号：

CN101887914A

公开(公告)日：

2010-11-17

发明(设计)人：

刘莒光

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县竹北市台元街32号2楼之1

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2936

代理机构：

北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205

代理人：

刘芳

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-06-27	授权	授权
2010-12-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101028083946 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2009101352882 申请日:20090512
2010-11-17	公开	公开

共 50 条

[1]

薄膜电晶体制造方法及薄膜电晶体 [P].

徐宗铉 .

中国专利 :CN107112363B ,2017-08-29

[2]

功率电晶体结构 [P].

杨信佳 ;

郭志盛 .

中国专利 :CN101752422B ,2010-06-23

[3]

铁电晶体膜、电子元件、铁电晶体膜的制造方法和铁电晶体膜的制造装置 [P].

木岛健 ;

本多祐二 ;

饭塚大助 ;

秦健次郎 .

中国专利 :CN103456723A ,2013-12-18

[4]

有机铁电晶体材料的制备方法以及有机铁电晶体材料 [P].

胡来归 ;

徐明升 ;

詹义强 ;

秦亚杰 .

中国专利 :CN113151902A ,2021-07-23

[5]

包括初级和二级电晶体的存储单元 [P].

尤尼亚托·维查亚 ;

韩京宇 ;

本杰明·S.·路易 .

中国专利 :CN104471648B ,2015-03-25

[6]

双电晶体的封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 ;

吴家荣 .

中国专利 :CN214477434U ,2021-10-22

[7]

薄膜电晶体的制造方法 [P].

陈坤宏 ;

叶光兆 .

中国专利 :CN1521839A ,2004-08-18

[8]

功率电晶体及其制造方法 [P].

多梅尼科·罗维德 ;

隆西斯瓦莱·切萨雷 ;

许晃宾 ;

黄子豪 ;

谢松颖 .

:CN120857545A ,2025-10-28

[9]

热释电晶体X光源 [P].

何元金 ;

万年胜 .

中国专利 :CN1119828C ,2001-03-14

[10]

双电晶体的封装结构 [P].

颜宗贤 ;

王兴烨 ;

沈峰睿 ;

吴家荣 .

中国专利 :CN214477437U ,2021-10-22

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