LDMOS及集成LDMOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120374940.9

申请日：

2011-09-28

公开(公告)号：

CN202275836U

公开(公告)日：

2012-06-13

发明(设计)人：

乔明毛焜张波

申请人：

申请人地址：

518052 广东省深圳市南山区艺园路马家龙田厦产业园原27-29栋2-008室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260

代理人：

王翀

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-12-30	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101725762606 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL2011203749409 登记生效日:20151207 变更事项:专利权人变更前权利人:深圳市联德合微电子有限公司变更后权利人:无锡市芯茂微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:518052 广东省深圳市南山区艺园路马家龙田厦产业园原27-29栋2-008室变更后权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号B1栋9层
2012-06-13	授权	授权
2018-09-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20110928 授权公告日:20120613 终止日期:20170928

共 50 条

[1]

一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法 [P].

毛焜 ;

乔明 .

中国专利 :CN102097389B ,2011-06-15

[2]

LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111403286A ,2020-07-10

[3]

多通道LDMOS器件 [P].

毛焜 .

中国专利 :CN202205754U ,2012-04-25

[4]

LDMOS器件 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN107819026B ,2018-03-20

[5]

LDMOS器件 [P].

张磊 ;

向泱 .

中国专利 :CN102169903A ,2011-08-31

[6]

LDMOS及集成LDMOS与CMOS的半导体器件 [P].

谭健 .

中国专利 :CN101378075B ,2009-03-04

[7]

LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件 [P].

王清钢 .

中国专利 :CN120379288A ,2025-07-25

[8]

LDMOS器件 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109935633B ,2019-06-25

[9]

LDMOS器件及工艺方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN112117332A ,2020-12-22

[10]

LDMOS的制作方法及LDMOS器件 [P].

刘俊文 ;

陈华伦 ;

陈瑜 .

中国专利 :CN111129153A ,2020-05-08

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