多通道LDMOS器件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120374842.5

申请日：

2011-09-28

公开(公告)号：

CN202205754U

公开(公告)日：

2012-04-25

发明(设计)人：

毛焜

申请人：

申请人地址：

518052 广东省深圳市艺园路马家龙田厦产业园原27-29栋（2-008室）

IPC主分类号：

H01L2910

IPC分类号：

H01L2978

代理机构：

深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260

代理人：

王翀

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-18	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/10 申请日:20110928 授权公告日:20120425 终止日期:20170928
2015-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101709851859 IPC(主分类):H01L 29/10 专利号:ZL2011203748425 变更事项:专利权人变更前权利人:深圳市联德合微电子有限公司变更后权利人:无锡市芯茂微电子有限公司变更事项:地址变更前权利人:518052 广东省深圳市艺园路马家龙田厦产业园原27-29栋(2-008室) 变更后权利人:214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号B1栋9层登记生效日:20141226
2012-04-25	授权	授权

共 50 条

[1]

LDMOS及集成LDMOS器件 [P].

乔明 ;

毛焜 ;

张波 .

中国专利 :CN202275836U ,2012-06-13

[2]

一种多通道LDMOS及其制备方法 [P].

毛焜 .

中国专利 :CN102097484B ,2011-06-15

[3]

LDMOS器件 [P].

颜树范 .

中国专利 :CN107819026B ,2018-03-20

[4]

LDMOS器件 [P].

张磊 ;

向泱 .

中国专利 :CN102169903A ,2011-08-31

[5]

LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111403286A ,2020-07-10

[6]

一种双通道变掺杂LDMOS器件 [P].

毛焜 ;

姚尧 .

中国专利 :CN207896095U ,2018-09-21

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈正龙 .

中国专利 :CN115513060A ,2022-12-23

[8]

一种高能注入埋层双通道LDMOS器件 [P].

毛焜 ;

姚尧 .

中国专利 :CN207896096U ,2018-09-21

[9]

LDMOS器件 [P].

肖胜安 .

中国专利 :CN109935633B ,2019-06-25

[10]

一种N型LDMOS器件 [P].

邓晓军 ;

朱伟民 ;

聂卫东 .

中国专利 :CN208923149U ,2019-05-31

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