一种多通道LDMOS及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201110005812.1
申请日
2011-01-12
公开(公告)号
CN102097484B
公开(公告)日
2011-06-15
发明(设计)人
毛焜
申请人
申请人地址
518052 广东省深圳市南山区艺园路马家龙田厦IC产业园2-008号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2906 H01L21336
代理机构
深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217
代理人
郭伟刚
法律状态
专利权的终止
国省代码
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共 50 条
[1]
多通道LDMOS器件 [P]. 
毛焜 .
中国专利 :CN202205754U ,2012-04-25
[2]
一种LDMOS器件及其制备方法 [P]. 
姚佳飞 ;
张泽平 ;
郭宇锋 ;
杨可萌 .
中国专利 :CN110120423B ,2019-08-13
[3]
一种LDMOS器件及其制备方法 [P]. 
刘俊文 .
中国专利 :CN121078768A ,2025-12-05
[4]
一种LDMOS器件及其制备方法 [P]. 
刘俊文 .
中国专利 :CN121078769A ,2025-12-05
[5]
LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
李敏 ;
季明华 ;
张汝京 .
中国专利 :CN113838906B ,2024-01-09
[6]
LDMOS晶体管及其制备方法 [P]. 
李敏 ;
季明华 ;
张汝京 .
中国专利 :CN113838906A ,2021-12-24
[7]
LDMOS晶体管及其制造方法 [P]. 
王猛 ;
喻慧 .
中国专利 :CN108598156A ,2018-09-28
[8]
一种LDMOS、集成该LDMOS的半导体器件及其制造方法 [P]. 
毛焜 ;
乔明 .
中国专利 :CN102097389B ,2011-06-15
[9]
一种LDMOS器件及其制备方法 [P]. 
陈涛 ;
黄汇钦 .
中国专利 :CN115332350A ,2022-11-11
[10]
一种LDMOS及其制造方法 [P]. 
不公告发明人 .
中国专利 :CN109244142A ,2019-01-18