低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnV5O14

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510099831.3

申请日：

2015-03-06

公开(公告)号：

CN104744039A

公开(公告)日：

2015-07-01

发明(设计)人：

方亮孙宜华李东升孙小华

申请人：

申请人地址：

443002 湖北省宜昌市大学路8号

IPC主分类号：

C04B35495

IPC分类号：

C04B35622

代理机构：

宜昌市三峡专利事务所 42103

代理人：

蒋悦

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-11	授权	授权
2015-07-29	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101618652433 IPC(主分类):C04B 35/495 专利申请号:2015100998313 申请日:20150306
2015-07-01	公开	公开
2022-12-06	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C04B 35/495 登记生效日:20221123 变更事项:专利权人变更前权利人:三峡大学变更后权利人:宜都市博通电子有限责任公司变更事项:地址变更前权利人:443002 湖北省宜昌市大学路8号变更后权利人:443399 湖北省宜昌市宜都市姚家店镇望城路23号

共 50 条

[1]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiMgV5O14 [P].

方亮 ;

王丹 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104761261A ,2015-07-08

[2]

低损耗温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷GdY2V3O12 [P].

李纯纯 ;

方维双 ;

唐莹 .

中国专利 :CN105060889A ,2015-11-18

[3]

超低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiMgNb5O14 [P].

方亮 ;

孙宜华 ;

李东升 ;

孙小华 .

中国专利 :CN104725043A ,2015-06-24

[4]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiBSiO4 [P].

方亮 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN105948729A ,2016-09-21

[5]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷及其制备方法 [P].

方亮 ;

方清 ;

孙宜华 .

中国专利 :CN104311023B ,2015-01-28

[6]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷BaSiV2O8 [P].

陈进武 ;

方亮 ;

王丹 .

中国专利 :CN104844207A ,2015-08-19

[7]

低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷LiZnNb5O14 [P].

方亮 ;

罗昊 ;

苏和平 .

中国专利 :CN104649672A ,2015-05-27

[8]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷Li3BiSnO5 [P].

陈军奇 ;

唐莹 ;

段炼 .

中国专利 :CN106187150A ,2016-12-07

[9]

低损耗温度稳定型低介电常数微波介电陶瓷Li2CaMgGeO5 [P].

相怀成 ;

段炼 ;

苏和平 .

中国专利 :CN106187104A ,2016-12-07

[10]

温度稳定型超低介电常数微波介电陶瓷LiZnNdV2O8 [P].

罗昊 ;

唐莹 ;

方维双 .

中国专利 :CN105272242A ,2016-01-27

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