用于外延生长碳化硅薄膜的化学气相沉积反应器及方法

被引：0

申请号：

CN202211528061.6

申请日：

2022-12-01

公开(公告)号：

CN115613139A

公开(公告)日：

2023-01-17

发明(设计)人：

高冰叶宏亮李俊

申请人：

申请人地址：

312400 浙江省绍兴市嵊州市浦口街道浦南大道368号9号厂房二楼202室

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2510 C30B2514

代理机构：

浙江千克知识产权代理有限公司 33246

代理人：

沈涛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-17	公开	公开
2023-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20221201

共 50 条

[1]

一种碳化硅化学气相沉积反应器 [P].

梁土钦 ;

孔令沂 ;

李锡光 .

中国专利 :CN215757596U ,2022-02-08

[2]

一种碳化硅化学气相沉积方法及反应器 [P].

高冰 ;

叶宏亮 ;

李俊 .

中国专利 :CN115537769A ,2022-12-30

[3]

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 [P].

唐治 ;

况维维 ;

陈中 .

中国专利 :CN104046959B ,2014-09-17

[4]

一种用于碳化硅外延生长的化学气相沉积装置 [P].

唐治 ;

况维维 ;

陈中 .

中国专利 :CN203890438U ,2014-10-22

[5]

一种化学气相沉积碳化硅纤维的反应器 [P].

石南林 .

中国专利 :CN2283068Y ,1998-06-03

[6]

化学气相沉积设备及碳化硅外延层制备方法 [P].

刘兴昉 ;

杨尚宇 ;

闫果果 ;

王雷 ;

赵万顺 ;

孙国胜 ;

曾一平 .

中国专利 :CN115896934B ,2025-09-12

[7]

高效外延化学气相沉积（CVD）反应器 [P].

乔治·卡米安 .

中国专利 :CN102427971B ,2012-04-25

[8]

化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置 [P].

尹志尧 ;

姜勇 .

中国专利 :CN105088186B ,2015-11-25

[9]

化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置 [P].

尹志尧 ;

姜勇 .

中国专利 :CN103132051A ,2013-06-05

[10]

化学气相沉积反应器或外延层生长反应器及其支撑装置 [P].

尹志尧 ;

姜勇 .

中国专利 :CN105088187A ,2015-11-25

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