一种CdSe/ZnS量子点溶液修饰金电极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811232731.3

申请日：

2018-10-23

公开(公告)号：

CN111089858A

公开(公告)日：

2020-05-01

发明(设计)人：

不公告发明人

申请人：

申请人地址：

226121 江苏省南通市海门市三厂镇翻身北路201号

IPC主分类号：

G01N2176

IPC分类号：

B82Y1500 C09K1188

代理机构：

代理人：

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-08	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N 21/76 申请公布日:20200501
2020-05-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种CdSe/ZnS量子点的制备方法 [P].

王华林 ;

张涛 ;

张科登 .

中国专利 :CN108373918A ,2018-08-07

[2]

羧基修饰的CdSe-ZnS核壳结构量子点的制备方法 [P].

应明 ;

沈林燕 ;

赖献滨 ;

李会章 .

中国专利 :CN103965866B ,2014-08-06

[3]

一种CdSe@ZnS量子点及其制备方法 [P].

刘安安 ;

蔡佳蓉 ;

庞代文 .

中国专利 :CN116023930B ,2025-02-07

[4]

CdSe/CdS或CdSe/ZnS核/壳型量子点的制备方法 [P].

庞代文 ;

谢海燕 ;

侯安新 .

中国专利 :CN1403379A ,2003-03-19

[5]

CdSe量子点的制备方法 [P].

何治柯 ;

梁建功 .

中国专利 :CN1547238A ,2004-11-17

[6]

CdSe量子点的制备方法 [P].

孙康 ;

李万万 ;

邢滨 .

中国专利 :CN1986725A ,2007-06-27

[7]

CdSe量子点的制备方法 [P].

庞代文 ;

徐昊 ;

彭俊 ;

张志凌 ;

田智全 ;

朱小波 ;

毛蒙 .

中国专利 :CN1789372A ,2006-06-21

[8]

一种手性CdSe量子点的制备方法 [P].

赵丹 ;

马诗瑶 ;

郝健 .

中国专利 :CN108251116A ,2018-07-06

[9]

一种CdSe/ZnS核壳量子点的制备方法及应用 [P].

匡芮 ;

杨文科 ;

赵海丽 ;

冯攸联 ;

闫荣金 ;

刘一石 ;

朱晓丽 .

中国专利 :CN103558194A ,2014-02-05

[10]

一种CdSe/ZnS量子点薄膜及其制备方法与应用 [P].

孙宝全 ;

刘钰琦 ;

黄香斌 ;

王玉生 ;

宋涛 .

中国专利 :CN120882144A ,2025-10-31

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