一种CdSe@ZnS量子点及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202211721535.9

申请日：

2022-12-30

公开(公告)号：

CN116023930B

公开(公告)日：

2025-02-07

发明(设计)人：

刘安安蔡佳蓉庞代文

申请人：

南开大学

申请人地址：

300110 天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

C09K11/02

IPC分类号：

C09K11/88 B82Y20/00 B82Y30/00

代理机构：

北京嘉科知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11687

代理人：

陈美君

法律状态：

授权

国省代码：

河北省衡水市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-02-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种CdSe/CdZnSeS/ZnS核壳量子点制备方法 [P].

刘光 ;

刘海鹏 ;

王奕 .

中国专利 :CN107090291B ,2017-08-25

[2]

CdSe量子点制备工艺、CdSe量子点 [P].

陈赟斐 ;

吴炫烨 .

中国专利 :CN118978917A ,2024-11-19

[3]

一种CdSe量子点及其制备方法 [P].

王华林 ;

张涛 ;

张科登 .

中国专利 :CN108179011A ,2018-06-19

[4]

一种CdSe量子点及其制备方法 [P].

李福山 ;

郭太良 ;

吴家祺 ;

查得斯科马来 ;

吴薇 .

中国专利 :CN104030256B ,2014-09-10

[5]

一种CdSe/ZnS量子点溶液修饰金电极的制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN111089858A ,2020-05-01

[6]

CdSe量子点的制备方法 [P].

何治柯 ;

梁建功 .

中国专利 :CN1547238A ,2004-11-17

[7]

CdSe量子点的制备方法 [P].

孙康 ;

李万万 ;

邢滨 .

中国专利 :CN1986725A ,2007-06-27

[8]

CdSe量子点的制备方法 [P].

庞代文 ;

徐昊 ;

彭俊 ;

张志凌 ;

田智全 ;

朱小波 ;

毛蒙 .

中国专利 :CN1789372A ,2006-06-21

[9]

一种强红黄光发射的多面体形CdSe/ZnSe/ZnS核壳结构量子点及其制备方法 [P].

周娟 ;

周海峰 ;

周广军 .

中国专利 :CN104357058B ,2015-02-18

[10]

一种CdSe量子点的制备方法 [P].

王华林 ;

张涛 ;

张科登 .

中国专利 :CN108373919A ,2018-08-07

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