一种Bi2S3的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010898087.4

申请日：

2020-08-31

公开(公告)号：

CN112299481A

公开(公告)日：

2021-02-02

发明(设计)人：

陈嵘陶雄胡晓武苏春平

申请人：

申请人地址：

430074 湖北省武汉市洪山区雄楚大街693号

IPC主分类号：

C01G2900

IPC分类号：

B01J2002 B01J2028 B01J2030 B01J2704 B01J3510 B82Y4000 C02F130 C02F10122

代理机构：

湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102

代理人：

崔友明;李欣荣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C01G 29/00 申请日:20200831
2021-02-02	公开	公开

共 50 条

[1]

一种Bi2S3/AgBiS2纳米团簇的制备方法 [P].

程琳 ;

刘爱萍 ;

付佳佳 ;

郭平 ;

阮迪清 .

中国专利 :CN114082425A ,2022-02-25

[2]

一种可见光响应g‑C3N4/Bi2S3异质结材料的制备方法和用途 [P].

朱成章 ;

谢吉民 ;

姜志锋 ;

魏巍 .

中国专利 :CN106423246A ,2017-02-22

[3]

一种制备Bi2(SexTe1‑x)3单晶纳米片的方法 [P].

雷仁博 ;

郭靓 ;

简基康 .

中国专利 :CN105200520B ,2015-12-30

[4]

一种Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>/Sb<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结复合材料的制备方法 [P].

高书芳 ;

潘越扬 ;

张超 .

中国专利 :CN119612453A ,2025-03-14

[5]

一种低温制备多孔Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>晶态薄膜的方法 [P].

孙在春 ;

梅炳初 ;

李宝文 .

中国专利 :CN120425325A ,2025-08-05

[6]

片状Ni3S2包覆柱状Ni3S2阵列电极的制备方法 [P].

王育乔 ;

李红颜 ;

王青青 ;

刘斯琦 ;

孙岳明 .

中国专利 :CN109686591B ,2019-04-26

[7]

一种Bi2O2CO3纳米片的制备方法与应用 [P].

张景基 ;

邢洪杰 ;

吴璐璐 ;

刘亚丕 ;

杜汇伟 ;

朱泽洁 ;

王疆瑛 .

中国专利 :CN112250109A ,2021-01-22

[8]

异质金属原子掺杂Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>纳米材料及其制备方法、气体传感器与应用 [P].

徐强 ;

张昊兵 ;

李文华 ;

李楠 ;

王掌 .

中国专利 :CN119706930A ,2025-03-28

[9]

一种BiOCl‑TiO2/Sb2S3复合光催化剂的制备方法 [P].

高光珍 .

中国专利 :CN107866238A ,2018-04-03

[10]

一种Bi<sub>2</sub>S<sub>3</sub>/VS<sub>2</sub>/S复合材料及其制备方法和应用 [P].

黄剑锋 ;

王怡婷 ;

曹丽云 ;

李嘉胤 ;

王芳敏 ;

姬宇 ;

王瑜航 ;

黄青青 .

中国专利 :CN116282147B ,2024-11-22

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