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半导体结构及其形成方法、存储器
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110750964.8
申请日：
2021-07-02
公开(公告)号：
CN113471201A
公开(公告)日：
2021-10-01
发明(设计)人：
宛伟
申请人：
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
IPC主分类号：
H01L27108
IPC分类号：
H01L218242
H01L2910
H01L2978
代理机构：
北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489
代理人：
郑久兴
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-01 | 公开 | 公开 |
| 2021-10-26 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20210702 |