用于沉积第13族金属或类金属氮化物膜的方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610592097.9
申请日
2016-07-25
公开(公告)号
CN106367730A
公开(公告)日
2017-02-01
发明(设计)人
雷新建 金武性 S·V·伊万诺夫
申请人
申请人地址
美国宾夕法尼亚州
IPC主分类号
C23C1634
IPC分类号
C23C16455 C23C1650
代理机构
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
吴亦华;徐志明
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
用于沉积IIIA族金属氮化物膜的方法 [P]. 
G·瑞滕伯格 .
:CN120077159A ,2025-05-30
[2]
生长第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜的方法和装置、以及第(Ⅲ)族金属氮化物薄膜 [P]. 
K·S·A·布彻 ;
M-P·F·温特伯特埃普富凯 ;
P·P-T·陈 ;
J·L·P·坦恩哈韦 ;
D·I·约翰逊 .
中国专利 :CN101124353A ,2008-02-13
[3]
膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法 [P]. 
长田贵弘 ;
知京丰裕 ;
上原刚 .
中国专利 :CN100589229C ,2008-07-30
[4]
用于沉积保形的金属或准金属氮化硅膜的方法 [P]. 
雷新建 ;
金武性 ;
A·马力卡琼南 ;
A·M·丹格菲尔德 ;
L·F·佩纳 ;
Y·J·查巴尔 .
中国专利 :CN108474114A ,2018-08-31
[5]
用于沉积保形的金属或准金属氮化硅膜的方法 [P]. 
雷新建 ;
金武性 ;
A·马力卡琼南 ;
A·M·丹格菲尔德 ;
L·F·佩纳 ;
Y·J·查巴尔 .
美国专利 :CN117904602A ,2024-04-19
[6]
第13族氮化物晶体的制造方法和第13族氮化物晶体 [P]. 
林昌弘 ;
佐藤隆 ;
三好直哉 ;
和田纯一 ;
皿山正二 .
中国专利 :CN106103817A ,2016-11-09
[7]
第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板 [P]. 
林昌弘 ;
皿山正二 ;
佐藤隆 ;
木村千春 ;
三好直哉 ;
村上明繁 ;
和田纯一 .
中国专利 :CN106319617A ,2017-01-11
[8]
第13族氮化物晶体和第13族氮化物晶体基板 [P]. 
林昌弘 ;
皿山正二 ;
佐藤隆 ;
木村千春 ;
三好直哉 ;
村上明繁 ;
和田纯一 .
中国专利 :CN103320864A ,2013-09-25
[9]
用于沉积保形的金属或准金属氮化硅膜的方法和所得的膜 [P]. 
雷新建 ;
金武性 ;
李建恒 .
中国专利 :CN108026637A ,2018-05-11
[10]
用于沉积金属氮化物的方法及装置 [P]. 
朱明伟 ;
杨子浩 ;
奈格·B·帕蒂班德拉 ;
卢多维克·戈代 ;
曹勇 ;
丹尼尔·李·迪尔 ;
陈哲擘 .
中国专利 :CN113614275A ,2021-11-05