用于沉积IIIA族金属氮化物膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380073153.6

申请日：

2023-10-26

公开(公告)号：

CN120077159A

公开(公告)日：

2025-05-30

发明(设计)人：

G·瑞滕伯格

申请人：

旭硝子欧洲玻璃公司

申请人地址：

比利时

IPC主分类号：

C23C14/02

IPC分类号：

C23C14/06 C23C14/08 C23C14/00 H01L21/02

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

谭冀

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/02申请日:20231026
2025-05-30	公开	公开

共 50 条

[1]

导电的IIIA族氮化物晶体的制造方法,导电的IIIA族氮化物衬底的制造方法及导电的IIIA族氮化物衬底 [P].

吉田丈洋 .

中国专利 :CN102134742A ,2011-07-27

[2]

用于沉积第13族金属或类金属氮化物膜的方法 [P].

雷新建 ;

金武性 ;

S·V·伊万诺夫 .

中国专利 :CN106367730A ,2017-02-01

[3]

IIIA族氮化物晶体的制造方法 [P].

林昌弘 ;

皿山正二 ;

佐藤隆 ;

南部洋志 ;

木村千春 ;

三好直哉 .

中国专利 :CN102995123A ,2013-03-27

[4]

膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法 [P].

长田贵弘 ;

知京丰裕 ;

上原刚 .

中国专利 :CN100589229C ,2008-07-30

[5]

金属氮化物薄膜沉积方法 [P].

马迎功 ;

郭冰亮 ;

武树波 ;

师帅涛 ;

赵晨光 ;

杨健 ;

宋玲彦 ;

甄梓扬 ;

翟洪涛 ;

许文学 ;

张璐 ;

崔亚欣 ;

段俊雄 ;

孙鲁阳 .

中国专利 :CN112760602B ,2021-05-07

[6]

过渡金属氮化物沉积方法 [P].

E.费尔姆 ;

J.W.梅斯 ;

C.德泽拉 ;

岩下信哉 .

中国专利 :CN115537770A ,2022-12-30

[7]

过渡金属氮化物沉积方法 [P].

E.费尔姆 ;

J.W.梅斯 ;

C.德泽拉 ;

岩下信哉 .

:CN115537770B ,2025-04-08

[8]

用于沉积金属氮化物的方法及装置 [P].

朱明伟 ;

杨子浩 ;

奈格·B·帕蒂班德拉 ;

卢多维克·戈代 ;

曹勇 ;

丹尼尔·李·迪尔 ;

陈哲擘 .

中国专利 :CN113614275A ,2021-11-05

[9]

IIIA族氮化物半导体衬底 [P].

大岛佑一 .

中国专利 :CN102102223B ,2011-06-22

[10]

用于沉积第III族氮化物半导体膜的方法 [P].

洛伦佐·卡斯塔尔迪 ;

马丁·克拉策 ;

海因茨·费尔泽 ;

小罗伯特·马马扎 .

中国专利 :CN104508795A ,2015-04-08

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