NMOS晶体管及形成方法、CMOS结构及形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210214305.3

申请日：

2012-06-26

公开(公告)号：

CN103515238A

公开(公告)日：

2014-01-15

发明(设计)人：

洪中山

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21266 H01L2978 H01L2932 H01L27092 H01L218238

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

骆苏华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-15	公开	公开
2016-03-16	授权	授权
2014-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571928790 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102143053 申请日:20120626

共 50 条

[41]

晶体管及其形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN106960791A ,2017-07-18

[42]

晶体管及其形成方法 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN106158650A ,2016-11-23

[43]

晶体管及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104681488B ,2015-06-03

[44]

PMOS晶体管及形成方法 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN103377941B ,2013-10-30

[45]

晶体管及其形成方法 [P].

涂火金 ;

三重野文健 .

中国专利 :CN103094340B ,2013-05-08

[46]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

林仰魁 ;

陈志豪 ;

卢炯平 .

中国专利 :CN102646590B ,2012-08-22

[47]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103839815B ,2014-06-04

[48]

NMOS晶体管的形成方法 [P].

杨勇胜 .

中国专利 :CN102074476B ,2011-05-25

[49]

CMOS晶体管及其形成方法 [P].

平延磊 ;

周鸣 .

中国专利 :CN103545258B ,2014-01-29

[50]

CMOS晶体管及其形成方法、鳍式场效应晶体管及其形成方法 [P].

王冬江 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103915385A ,2014-07-09

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