共 50 条
[21]
[22]
[23]
[24]
[25]
[26]
[27]
[28]
[29]
[30]
NMOS晶体管及形成方法、CMOS结构及形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201210214305.3
申请日：
2012-06-26
公开(公告)号：
CN103515238A
公开(公告)日：
2014-01-15
发明(设计)人：
洪中山
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L21266
H01L2978
H01L2932
H01L27092
H01L218238
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
骆苏华
法律状态：
公开
国省代码：
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-01-15 | 公开 | 公开 |
| 2016-03-16 | 授权 | 授权 |
| 2014-02-19 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101571928790 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102143053 申请日:20120626 |