从氮化物倒装芯片激光去除蓝宝石

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200480041729.8

申请日：

2004-12-21

公开(公告)号：

CN1918691A

公开(公告)日：

2007-02-21

发明(设计)人：

布里翁·S·谢尔顿塞巴斯蒂安·利博伊万·埃利亚舍维奇

申请人：

申请人地址：

美国俄亥俄州

IPC主分类号：

H01L2100

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：

章社杲

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-02-21	公开	公开
2010-08-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101003943549 IPC(主分类):H01L 21/00 专利申请号:2004800417298 公开日:20070221
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

蓝宝石基氮化物芯片的划片方法 [P].

徐军 ;

蒋成勇 ;

周圣明 ;

杨卫桥 ;

周国清 ;

王银珍 ;

彭观良 ;

邹军 ;

刘士良 ;

张俊计 ;

邓佩珍 .

中国专利 :CN1529347A ,2004-09-15

[2]

蓝宝石基氮化物芯片减薄划片的方法 [P].

徐军 ;

彭观良 ;

周圣明 ;

周国清 ;

蒋成勇 ;

王海丽 ;

李抒智 ;

赵广军 ;

张俊计 ;

刘军芳 ;

邹军 ;

王银珍 ;

吴锋 ;

庄漪 .

中国专利 :CN1292495C ,2004-11-10

[3]

一种蓝宝石PVD膜的激光去除装置 [P].

王建刚 ;

张义 ;

刘勇 ;

彭和茂 ;

朱熠 .

中国专利 :CN207888068U ,2018-09-21

[4]

蓝宝石基板及氮化物半导体发光元件 [P].

成田准也 ;

冈田卓也 ;

若井阳平 ;

井上芳树 ;

佐幸直也 ;

家段胜好 .

中国专利 :CN106067501B ,2016-11-02

[5]

一种激光去除蓝宝石表面镀层的工艺方法 [P].

王建刚 ;

杨立昆 ;

王艳娟 ;

李念 .

中国专利 :CN108015425A ,2018-05-11

[6]

倒装芯片氮化物半导体发光二极管 [P].

金显炅 ;

郑宁俊 ;

金容天 .

中国专利 :CN100403560C ,2005-07-27

[7]

蓝宝石衬底、使用该蓝宝石衬底的氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法 [P].

罗伯特·大卫·阿米蒂奇 ;

近藤行广 ;

平山秀树 .

中国专利 :CN101528991B ,2009-09-09

[8]

激光去除蓝宝石3D表面PVD镀层的工艺方法 [P].

王建刚 ;

孙威 ;

雷小锋 ;

万景成 .

中国专利 :CN108393590B ,2018-08-14

[9]

以蓝宝石为基板的氮化物基半导体装置 [P].

李志翔 ;

吴东海 .

中国专利 :CN202009028U ,2011-10-12

[10]

一种激光去除蓝宝石表面镀层的装置及其工艺方法 [P].

吴敬元 ;

徐亮 .

中国专利 :CN110560908A ,2019-12-13

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