半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710086928.6

申请日：

2007-03-22

公开(公告)号：

CN100508213C

公开(公告)日：

2007-09-26

发明(设计)人：

下井田良雄林哲也田中秀明山上滋春星正胜

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29267 H01L21336

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇;权鲜枝

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-09-26	公开	公开
2009-07-01	授权	授权
2007-11-21	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

下井田良雄 ;

星正胜 ;

林哲也 ;

田中秀明 ;

山上滋春 .

中国专利 :CN101064309A ,2007-10-31

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

松本光市 .

中国专利 :CN101499475B ,2009-08-05

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉村充弘 .

中国专利 :CN111755518A ,2020-10-09

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

白滨政则 ;

县泰宏 ;

川崎利昭 ;

广藤裕一 ;

山田隆顺 .

中国专利 :CN102549737B ,2012-07-04

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊池善明 .

中国专利 :CN101335300A ,2008-12-31

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

平林圣一 .

中国专利 :CN101276816A ,2008-10-01

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

佐藤好弘 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN1933158A ,2007-03-21

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉持贤一 .

中国专利 :CN1323429C ,2003-11-26

[9]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN102593153A ,2012-07-18

[10]

半导体衬底、半导体装置、以及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN101308783A ,2008-11-19

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