半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200710097689.4

申请日：

2007-04-28

公开(公告)号：

CN101064309A

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

下井田良雄星正胜林哲也田中秀明山上滋春

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H01L2706

IPC分类号：

H01L21822

代理机构：

北京林达刘知识产权代理事务所

代理人：

刘新宇;权鲜枝

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-10-31	公开	公开
2009-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

下井田良雄 ;

林哲也 ;

田中秀明 ;

山上滋春 ;

星正胜 .

中国专利 :CN100508213C ,2007-09-26

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

铃木健司 ;

高桥英树 ;

友松佳史 .

中国专利 :CN101170109A ,2008-04-30

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

吉村充弘 .

中国专利 :CN111755518A ,2020-10-09

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

松本拓治 ;

前田茂伸 ;

岩松俊明 ;

一法师隆史 .

中国专利 :CN1371132A ,2002-09-25

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

上野修一 ;

奥村喜纪 ;

前田茂伸 ;

前川繁登 .

中国专利 :CN1162912C ,1998-09-09

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

桥谷雅幸 .

中国专利 :CN103178115A ,2013-06-26

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

古贺洋贵 .

中国专利 :CN1229270A ,1999-09-22

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

松本光市 .

中国专利 :CN101499475B ,2009-08-05

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊地修一 ;

西部荣次 .

中国专利 :CN1320968A ,2001-11-07

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

小川久 ;

粉谷直树 ;

赤松晋 ;

工藤千秋 .

中国专利 :CN1956195A ,2007-05-02

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