半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN01111346.4

申请日：

2001-03-12

公开(公告)号：

CN1320968A

公开(公告)日：

2001-11-07

发明(设计)人：

菊地修一西部荣次

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

杨凯;王忠忠

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-08	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20010312 授权公告日:20051012 终止日期:20180312
2001-11-07	公开	公开
2005-10-12	授权	授权
2003-08-20	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

上野修一 ;

奥村喜纪 ;

前田茂伸 ;

前川繁登 .

中国专利 :CN1162912C ,1998-09-09

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

古贺洋贵 .

中国专利 :CN1229270A ,1999-09-22

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

岩松俊明 ;

一法师隆志 ;

松本拓治 .

中国专利 :CN1187811C ,2001-08-22

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

南志昌 .

中国专利 :CN103295910B ,2013-09-11

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

松本拓治 ;

前田茂伸 ;

岩松俊明 ;

一法师隆史 .

中国专利 :CN1371132A ,2002-09-25

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

西部荣次 ;

八柳俊佑 .

中国专利 :CN1606172A ,2005-04-13

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

桥谷雅幸 .

中国专利 :CN103178115A ,2013-06-26

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

西部荣次 ;

八柳俊佑 .

中国专利 :CN1606173A ,2005-04-13

[9]

半导体装置和半导体装置的制造方法 [P].

二木俊郎 .

中国专利 :CN107154434A ,2017-09-12

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

下井田良雄 ;

星正胜 ;

林哲也 ;

田中秀明 ;

山上滋春 .

中国专利 :CN101064309A ,2007-10-31

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