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半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN00131437.8
申请日：
2000-10-18
公开(公告)号：
CN1187811C
公开(公告)日：
2001-08-22
发明(设计)人：
岩松俊明
一法师隆志
松本拓治
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2176
IPC分类号：
H01L2100
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
杨凯;叶恺东
法律状态：
专利申请权、专利权的转移
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2014-05-07 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700726268 IPC(主分类):H01L 21/76 专利号:ZL001314378 变更事项:专利权人 变更前权利人:三菱电机株式会社 变更后权利人:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京都 变更后权利人:日本神奈川县川崎市 登记生效日:20140416 |
| 2001-02-21 | 实质审查请求的生效 | 实质审查请求的生效 |
| 2019-10-18 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/76 申请日:20001018 授权公告日:20050202 终止日期:20181018 |
| 2005-02-02 | 授权 | 授权 |
| 2001-08-22 | 公开 | 公开 |
| 2017-12-12 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 | 专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/76 变更事项:专利权人 变更前:瑞萨电子株式会社 变更后:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前:日本神奈川县川崎市 变更后:日本东京都 |