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半导体装置及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN01143820.7
申请日：
2001-12-14
公开(公告)号：
CN1371132A
公开(公告)日：
2002-09-25
发明(设计)人：
松本拓治
前田茂伸
岩松俊明
一法师隆史
申请人：
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
H01L2712
IPC分类号：
H01L2978
代理机构：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人：
刘宗杰;叶恺东
法律状态：
专利权的终止
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2016-02-03 | 专利权的终止 | 未缴年费专利权终止 号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101644478677 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL011438207 申请日:20011214 授权公告日:20050427 终止日期:20141214 |
| 2002-12-25 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2014-05-07 | 专利申请权、专利权的转移 | 专利权的转移 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101700751771 IPC(主分类):H01L 27/12 专利号:ZL011438207 变更事项:专利权人 变更前权利人:三菱电机株式会社 变更后权利人:瑞萨电子株式会社 变更事项:地址 变更前权利人:日本东京都 变更后权利人:日本神奈川县川崎市 登记生效日:20140416 |
| 2005-04-27 | 授权 | 授权 |
| 2002-03-27 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 |
| 2002-09-25 | 公开 | 公开 |