半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510155592.9

申请日：

2015-04-02

公开(公告)号：

CN104979348A

公开(公告)日：

2015-10-14

发明(设计)人：

新田博明赤沼英幸桑沢和伸

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L27088

IPC分类号：

H01L27092 H01L218234 H01L218238 H01L2978 H01L2906

代理机构：

北京金信知识产权代理有限公司 11225

代理人：

苏萌萌;范文萍

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-10-14	公开	公开
2017-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101706023794 IPC(主分类):H01L 27/088 专利申请号:2015101555929 申请日:20150402
2019-05-07	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

松本拓治 ;

前田茂伸 ;

岩松俊明 ;

一法师隆史 .

中国专利 :CN1371132A ,2002-09-25

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

内山敬太 .

中国专利 :CN1744318A ,2006-03-08

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

西部荣次 ;

八柳俊佑 .

中国专利 :CN1606172A ,2005-04-13

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

上野修一 ;

奥村喜纪 ;

前田茂伸 ;

前川繁登 .

中国专利 :CN1162912C ,1998-09-09

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

桥谷雅幸 .

中国专利 :CN103178115A ,2013-06-26

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

古贺洋贵 .

中国专利 :CN1229270A ,1999-09-22

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

齐藤丰 ;

小山内润 .

中国专利 :CN1115120A ,1996-01-17

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊地修一 ;

西部荣次 .

中国专利 :CN1320968A ,2001-11-07

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

岩松俊明 ;

一法师隆志 ;

松本拓治 .

中国专利 :CN1187811C ,2001-08-22

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

西部荣次 ;

八柳俊佑 .

中国专利 :CN1606173A ,2005-04-13

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