半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95105105.9

申请日：

1995-03-31

公开(公告)号：

CN1115120A

公开(公告)日：

1996-01-17

发明(设计)人：

齐藤丰小山内润

申请人：

申请人地址：

日本千叶县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2936 H01L2360 H01L2704 H01L21336

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

萧掬昌;张志醒

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2000-05-24	授权	授权
1996-01-17	公开	公开
2015-05-06	专利权的终止	专利权有效期届满号牌文件类型代码:1611 号牌文件序号:101608379422 IPC(主分类):H01L 29/78 专利号:ZL951051059 申请日:19950331 授权公告日:20000524 期满终止日期:20150331
1997-07-02	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

半导体装置及其制造方法 [P].

新田博明 ;

赤沼英幸 ;

桑沢和伸 .

中国专利 :CN104979348A ,2015-10-14

[2]

半导体装置及其制造方法 [P].

松本拓治 ;

前田茂伸 ;

岩松俊明 ;

一法师隆史 .

中国专利 :CN1371132A ,2002-09-25

[3]

半导体装置及其制造方法 [P].

内山敬太 .

中国专利 :CN1744318A ,2006-03-08

[4]

半导体装置及其制造方法 [P].

西部荣次 ;

八柳俊佑 .

中国专利 :CN1606172A ,2005-04-13

[5]

半导体装置及其制造方法 [P].

石部真三 ;

北川胜彦 .

中国专利 :CN102237385A ,2011-11-09

[6]

半导体装置及其制造方法 [P].

上野修一 ;

奥村喜纪 ;

前田茂伸 ;

前川繁登 .

中国专利 :CN1162912C ,1998-09-09

[7]

半导体装置及其制造方法 [P].

永井孝一 .

中国专利 :CN101142668A ,2008-03-12

[8]

半导体装置及其制造方法 [P].

桥谷雅幸 .

中国专利 :CN103178115A ,2013-06-26

[9]

半导体装置及其制造方法 [P].

古贺洋贵 .

中国专利 :CN1229270A ,1999-09-22

[10]

半导体装置及其制造方法 [P].

菊地修一 ;

西部荣次 .

中国专利 :CN1320968A ,2001-11-07

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