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极紫外光刻掩模缺陷检测系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210104156.5
申请日
:
2012-04-10
公开(公告)号
:
CN103365073B
公开(公告)日
:
2013-10-23
发明(设计)人
:
李海亮
谢常青
刘明
李冬梅
牛洁斌
史丽娜
朱效立
申请人
:
申请人地址
:
100029 北京市朝阳区北土城西路3号
IPC主分类号
:
G03F144
IPC分类号
:
代理机构
:
北京华沛德权律师事务所 11302
代理人
:
刘丽君
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2015-07-01
授权
授权
2013-11-20
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101542128556 IPC(主分类):G03F 1/44 专利申请号:2012101041565 申请日:20120410
2013-10-23
公开
公开
共 50 条
[1]
极紫外光刻掩模缺陷检测系统
[P].
李海亮
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李海亮
;
谢常青
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谢常青
;
刘明
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刘明
;
李冬梅
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李冬梅
;
牛洁斌
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牛洁斌
;
史丽娜
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史丽娜
;
朱效立
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朱效立
;
王子欧
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王子欧
.
中国专利
:CN103424985A
,2013-12-04
[2]
极紫外光刻掩模白板缺陷检测系统真空腔
[P].
龚文涛
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机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
龚文涛
;
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机构:
金春水
;
周名相
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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
周名相
;
肖相辅
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机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
肖相辅
;
李旭鹏
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机构:
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
李旭鹏
.
中国专利
:CN118258758A
,2024-06-28
[3]
极紫外光刻掩模缺陷的补偿方法
[P].
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机构:
宋晓伟
;
张瀚之
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机构:
长春理工大学
长春理工大学
张瀚之
;
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机构:
林景全
;
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机构:
李博超
.
中国专利
:CN118050953A
,2024-05-17
[4]
极紫外光刻掩模
[P].
N·佩伦斯
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IMEC非营利协会
IMEC非营利协会
N·佩伦斯
;
V·菲利普森
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IMEC非营利协会
IMEC非营利协会
V·菲利普森
.
:CN119987118A
,2025-05-13
[5]
极紫外光刻掩模多层膜相位型缺陷检测方法
[P].
成维
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成维
;
李思坤
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李思坤
;
王向朝
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王向朝
;
张子南
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张子南
.
中国专利
:CN110297401B
,2019-10-01
[6]
用于极紫外光刻的掩模拼接
[P].
R·M·伊瓦诺
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机构:
新思科技有限公司
新思科技有限公司
R·M·伊瓦诺
;
Z·A·莱文森
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新思科技有限公司
新思科技有限公司
Z·A·莱文森
;
K·D·卢卡斯
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新思科技有限公司
新思科技有限公司
K·D·卢卡斯
;
J·E·伯多夫
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新思科技有限公司
新思科技有限公司
J·E·伯多夫
.
美国专利
:CN120161666A
,2025-06-17
[7]
极紫外光刻厚掩模缺陷的快速仿真方法
[P].
刘晓雷
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刘晓雷
;
李思坤
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李思坤
;
王向朝
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王向朝
;
步扬
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步扬
.
中国专利
:CN103197503A
,2013-07-10
[8]
极紫外光刻系统
[P].
陈思妤
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陈思妤
;
郑博中
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郑博中
;
陈立锐
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陈立锐
;
许哲彰
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许哲彰
;
杨基
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杨基
.
中国专利
:CN112305870A
,2021-02-02
[9]
用于极紫外光刻的相移掩模
[P].
金成洙
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金成洙
;
金东完
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
金东完
;
徐焕锡
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机构:
三星电子株式会社
三星电子株式会社
徐焕锡
.
韩国专利
:CN113534598B
,2025-03-25
[10]
用于极紫外光刻的相移掩模
[P].
金成洙
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金成洙
;
金东完
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金东完
;
徐焕锡
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徐焕锡
.
中国专利
:CN113534598A
,2021-10-22
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