一种GaN HEMT器件应用于高频电路中的俘获效应消除方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011470986.0

申请日：

2020-12-15

公开(公告)号：

CN112491403A

公开(公告)日：

2021-03-12

发明(设计)人：

雷建明

申请人：

申请人地址：

210001 江苏省南京市秦淮区中山东路532-2号

IPC主分类号：

H03K708

IPC分类号：

H01L29778 H01L2920

代理机构：

芜湖思诚知识产权代理有限公司 34138

代理人：

项磊

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 7/08 申请日:20201215
2021-03-12	公开	公开
2021-11-09	授权	授权

共 50 条

[1]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171A ,2025-02-07

[2]

一种GaN HEMT器件的制备方法及GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 ;

李星齐 .

中国专利 :CN119403171B ,2025-07-22

[3]

一种GaN HEMT器件辐照效应的分析方法 [P].

张天成 ;

秦浩然 ;

丁大志 ;

包华广 ;

刘彤 .

中国专利 :CN118095158A ,2024-05-28

[4]

一种GaN HEMT器件辐照效应的分析方法 [P].

张天成 ;

秦浩然 ;

丁大志 ;

包华广 ;

刘彤 .

中国专利 :CN118095158B ,2024-09-10

[5]

一种GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 .

中国专利 :CN120568799B ,2025-10-17

[6]

一种GaN HEMT器件 [P].

张晓宇 ;

岳丹诚 .

中国专利 :CN120568799A ,2025-08-29

[7]

一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件 [P].

马磊 ;

董鹏 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 ;

孟飞 .

中国专利 :CN118412273A ,2024-07-30

[8]

一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件 [P].

吴畅 ;

刘安 ;

王凯 ;

李程程 ;

周瑞 ;

刘捷龙 ;

黄镇 ;

何琦 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN118016689B ,2025-03-18

[9]

一种GaN HEMT器件的栅极制备方法、栅极以及GaN HEMT器件 [P].

马磊 ;

董鹏 ;

刘浩 ;

边旭明 ;

曹佳 ;

孟飞 .

中国专利 :CN118412273B ,2024-08-27

[10]

一种无沟道耦合效应的GaN多沟道结构及GaN HEMT器件 [P].

吴畅 ;

刘安 ;

王凯 ;

李程程 ;

周瑞 ;

刘捷龙 ;

黄镇 ;

何琦 ;

邢绍琨 .

中国专利 :CN118016689A ,2024-05-10

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