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超结沟槽栅MOSFET器件结构及其工艺方法
被引：0
申请号：
CN202210540593.5
申请日：
2022-05-17
公开(公告)号：
CN115084223A
公开(公告)日：
2022-09-20
发明(设计)人：
许昭昭
申请人：
申请人地址：
214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号
IPC主分类号：
H01L2906
IPC分类号：
H01L2978
H01L21336
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
戴广志
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-09-20 | 公开 | 公开 |