半导体图像传感器件及其制造方法

被引：0

申请号：

CN202211439745.9

申请日：

2017-02-10

公开(公告)号：

CN115663006A

公开(公告)日：

2023-01-31

发明(设计)人：

张朝钦李昇展黄志辉蔡建欣吴正一周佳兴林艺民林明辉李锦思

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20170210
2023-01-31	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体图像传感器件及其制造方法 [P].

张朝钦 ;

李昇展 ;

黄志辉 ;

蔡建欣 ;

吴正一 ;

周佳兴 ;

林艺民 ;

林明辉 ;

李锦思 .

中国专利 :CN107123658A ,2017-09-01

[2]

半导体图像传感器件的制造方法 [P].

黄双武 ;

刘辰 ;

黄麦瑞 ;

陈洁 .

中国专利 :CN105355636A ,2016-02-24

[3]

图像传感器器件及其制造方法和半导体器件制造方法 [P].

陈愉婷 ;

蔡纾婷 ;

陈思莹 ;

林政贤 ;

杨敦年 ;

刘人诚 .

中国专利 :CN104733486B ,2015-06-24

[4]

半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法 [P].

黄莉雯 ;

方俊霖 ;

潘冠伶 ;

林炳豪 ;

李国政 ;

吴振铭 .

中国专利 :CN113594192B ,2025-07-29

[5]

半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法 [P].

黄莉雯 ;

方俊霖 ;

潘冠伶 ;

林炳豪 ;

李国政 ;

吴振铭 .

中国专利 :CN113594192A ,2021-11-02

[6]

图像传感器件及其制造方法 [P].

赖志育 ;

蔡敏瑛 ;

杜友伦 ;

金海光 ;

蔡正原 .

中国专利 :CN107204347B ,2017-09-26

[7]

互补金属氧化物半导体图像传感器件的结构及其制造方法 [P].

李守根 ;

朴基彻 ;

李敬雨 .

中国专利 :CN1518119A ,2004-08-04

[8]

半导体传感器件及其制造方法 [P].

青野宇纪 ;

冈田亮二 ;

风间敦 ;

高田良晶 .

中国专利 :CN101427365A ,2009-05-06

[9]

图像传感器及其制造方法和半导体器件 [P].

高敏峰 ;

杨敦年 ;

刘人诚 ;

郭文昌 ;

陈昇照 ;

洪丰基 ;

李昇展 .

中国专利 :CN114464637A ,2022-05-10

[10]

半导体基板及其制造方法、制造半导体器件的方法以及制造图像传感器的方法 [P].

崔埈荣 .

中国专利 :CN101359635A ,2009-02-04

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