半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110811899.5

申请日：

2021-07-19

公开(公告)号：

CN113594192B

公开(公告)日：

2025-07-29

发明(设计)人：

黄莉雯方俊霖潘冠伶林炳豪李国政吴振铭

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H10F39/12

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-07-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法 [P].

黄莉雯 ;

方俊霖 ;

潘冠伶 ;

林炳豪 ;

李国政 ;

吴振铭 .

中国专利 :CN113594192A ,2021-11-02

[2]

图像传感器及其制造方法和半导体器件 [P].

高敏峰 ;

杨敦年 ;

刘人诚 ;

郭文昌 ;

陈昇照 ;

洪丰基 ;

李昇展 .

中国专利 :CN114464637A ,2022-05-10

[3]

图像传感器半导体器件 [P].

王文德 ;

杨敦年 ;

许慈轩 ;

庄建祥 .

中国专利 :CN101241923A ,2008-08-13

[4]

半导体图像传感器件及其制造方法 [P].

张朝钦 ;

李昇展 ;

黄志辉 ;

蔡建欣 ;

吴正一 ;

周佳兴 ;

林艺民 ;

林明辉 ;

李锦思 .

中国专利 :CN115663006A ,2023-01-31

[5]

半导体图像传感器件及其制造方法 [P].

张朝钦 ;

李昇展 ;

黄志辉 ;

蔡建欣 ;

吴正一 ;

周佳兴 ;

林艺民 ;

林明辉 ;

李锦思 .

中国专利 :CN107123658A ,2017-09-01

[6]

图像传感器器件及其制造方法和半导体器件制造方法 [P].

陈愉婷 ;

蔡纾婷 ;

陈思莹 ;

林政贤 ;

杨敦年 ;

刘人诚 .

中国专利 :CN104733486B ,2015-06-24

[7]

图像传感器半导体封装件及制造半导体器件的方法 [P].

O·L·斯凯特 .

中国专利 :CN108400142A ,2018-08-14

[8]

半导体器件以及包括半导体器件的图像传感器 [P].

金声仁 ;

宋泰荣 ;

高宗贤 .

中国专利 :CN114530494A ,2022-05-24

[9]

用于图像传感器的半导体器件和制造用于图像传感器的半导体器件的方法 [P].

河尚勋 .

中国专利 :CN121126906A ,2025-12-12

[10]

半导体基板及其制造方法、制造半导体器件的方法以及制造图像传感器的方法 [P].

崔埈荣 .

中国专利 :CN101359635A ,2009-02-04

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