半导体测试单元及半导体测试结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610620291.3

申请日：

2016-08-01

公开(公告)号：

CN107680954A

公开(公告)日：

2018-02-09

发明(设计)人：

费春潮江博渊

申请人：

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号

IPC主分类号：

H01L23544

IPC分类号：

H01L2166

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-03-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/544 申请日:20160801
2019-12-10	授权	授权
2018-02-09	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体测试单元及半导体测试结构 [P].

钟贤岱 ;

王锴 .

中国专利 :CN207165561U ,2018-03-30

[2]

半导体测试结构及半导体测试方法 [P].

于鹏 ;

王帆 ;

方明海 .

中国专利 :CN117766517A ,2024-03-26

[3]

半导体测试结构及半导体测试方法 [P].

蒲源 ;

姚福民 ;

刘仕雯 ;

徐慧虹 .

中国专利 :CN119335348A ,2025-01-21

[4]

半导体测试结构及半导体测试方法 [P].

王帆 ;

方明海 ;

朱熙 ;

刘棋 ;

王威 .

中国专利 :CN117747596A ,2024-03-22

[5]

半导体测试结构及半导体测试方法 [P].

关富升 ;

潘冬 ;

刘珩 .

中国专利 :CN118248672A ,2024-06-25

[6]

半导体测试结构及半导体测试方法 [P].

关富升 ;

潘冬 ;

刘珩 .

中国专利 :CN117727738A ,2024-03-19

[7]

半导体测试结构及半导体测试方法 [P].

杨铧 .

中国专利 :CN118156253A ,2024-06-07

[8]

半导体测试结构及半导体测试方法 [P].

蒲源 ;

姚福民 ;

刘仕雯 ;

徐慧虹 .

中国专利 :CN119335348B ,2025-04-25

[9]

半导体测试结构及半导体测试方法 [P].

白文琦 .

中国专利 :CN119291317A ,2025-01-10

[10]

半导体测试结构及半导体测试方法 [P].

潘冬 ;

刘珩 ;

晏恒 .

中国专利 :CN120600731A ,2025-09-05

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