应力状态下纳米材料力电性能与显微结构测量装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200820124520.3

申请日：

2008-12-19

公开(公告)号：

CN201340380Y

公开(公告)日：

2009-11-04

发明(设计)人：

韩晓东刘攀张跃飞岳永海张泽

申请人：

申请人地址：

100124北京市朝阳区平乐园100号

IPC主分类号：

G01N1310

IPC分类号：

G01B1506

代理机构：

北京思海天达知识产权代理有限公司

代理人：

刘萍

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-05-11	避免重复授权放弃专利权	避免重复授权放弃专利权号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101085510649 IPC(主分类):G01N 13/10 专利号:ZL2008201245203 申请日:20081219 授权公告日:20091104 放弃生效日:20081219
2009-11-04	授权	授权

共 39 条

[1]

应力状态下纳米材料力电性能与显微结构测量装置和方法 [P].

韩晓东 ;

刘攀 ;

张跃飞 ;

岳永海 ;

张泽 .

中国专利 :CN101464244A ,2009-06-24

[2]

一种定量测试力电性能与显微结构的传感器 [P].

韩晓东 ;

刘攀 ;

岳永海 ;

张泽 .

中国专利 :CN201522985U ,2010-07-07

[3]

定量测试力电性能与显微结构的传感器及制作方法 [P].

韩晓东 ;

刘攀 ;

岳永海 ;

张泽 .

中国专利 :CN101837943B ,2010-09-22

[4]

一种透射电镜用力电性能与显微结构测量的传感器 [P].

韩晓东 ;

刘攀 ;

张泽 .

中国专利 :CN201522458U ,2010-07-07

[5]

透射电镜用力电性能与显微结构测量的传感器及制作方法 [P].

韩晓东 ;

刘攀 ;

张泽 .

中国专利 :CN101694829A ,2010-04-14

[6]

低维纳米材料显微结构与电学性能测试装置 [P].

韩晓东 ;

刘攀 ;

张泽 .

中国专利 :CN201637699U ,2010-11-17

[7]

低维材料应力状态下性能测试装置 [P].

韩晓东 ;

岳永海 ;

张跃飞 ;

张泽 .

中国专利 :CN201340379Y ,2009-11-04

[8]

低维材料应力状态下性能测试装置 [P].

韩晓东 ;

岳永海 ;

张跃飞 ;

张泽 .

中国专利 :CN101419150B ,2009-04-29

[9]

纳米线的显微结构与电学性能测试装置 [P].

韩晓东 ;

刘攀 ;

张泽 .

中国专利 :CN201488957U ,2010-05-26

[10]

低维纳米材料显微结构与电学性能测试装置和方法 [P].

韩晓东 ;

刘攀 ;

张泽 .

中国专利 :CN101545872B ,2009-09-30

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