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高散热二极管封装结构
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN201720236682.5
申请日
:
2017-03-13
公开(公告)号
:
CN206602128U
公开(公告)日
:
2017-10-31
发明(设计)人
:
董志强
侯志刚
申请人
:
申请人地址
:
250014 山东省济南市高新技术开发区孙村片区科远路1659号
IPC主分类号
:
H01L3364
IPC分类号
:
H01L3360
代理机构
:
北京智桥联合知识产权代理事务所(普通合伙) 11560
代理人
:
商晓莉
法律状态
:
专利权的终止
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-03-08
专利权的终止
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 33/64 申请日:20170313 授权公告日:20171031 终止日期:20180313
2017-10-31
授权
授权
共 50 条
[1]
高散热二极管封装结构
[P].
董志强
论文数:
0
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0
董志强
;
侯志刚
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侯志刚
.
中国专利
:CN106876567A
,2017-06-20
[2]
二极管封装结构
[P].
袁禧霙
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袁禧霙
;
侯竣元
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侯竣元
;
王惠东
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王惠东
.
中国专利
:CN216413071U
,2022-04-29
[3]
二极管封装结构
[P].
萧地域
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萧地域
.
中国专利
:CN207651492U
,2018-07-24
[4]
一种高散热二极管封装结构
[P].
江俊
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江俊
.
中国专利
:CN210325767U
,2020-04-14
[5]
发光二极管封装结构
[P].
陈烱勋
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陈烱勋
.
中国专利
:CN201853738U
,2011-06-01
[6]
二极管封装结构和二极管
[P].
汤为
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机构:
深圳市金开盛电子有限公司
深圳市金开盛电子有限公司
汤为
;
黄兴宇
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机构:
深圳市金开盛电子有限公司
深圳市金开盛电子有限公司
黄兴宇
;
任书冉
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机构:
深圳市金开盛电子有限公司
深圳市金开盛电子有限公司
任书冉
.
中国专利
:CN222462915U
,2025-02-11
[7]
二极管封装结构
[P].
柯雅慧
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柯雅慧
.
中国专利
:CN2817077Y
,2006-09-13
[8]
一种肖特二极管封装散热结构
[P].
徐建国
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徐建国
;
徐囡囡
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徐囡囡
;
徐嫚
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徐嫚
;
徐茜茜
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徐茜茜
;
徐延军
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徐延军
;
卢家培
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卢家培
.
中国专利
:CN209544321U
,2019-10-25
[9]
发光二极管封装结构
[P].
郭邦俊
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郭邦俊
;
刘江云
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刘江云
;
范雅俊
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范雅俊
;
楼满娥
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楼满娥
.
中国专利
:CN2752964Y
,2006-01-18
[10]
发光二极管封装结构
[P].
李允立
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李允立
;
陈正言
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陈正言
;
许国君
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许国君
;
苏柏仁
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苏柏仁
;
孙圣渊
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孙圣渊
.
中国专利
:CN203150540U
,2013-08-21
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