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一种半导体器件的制备方法及半导体器件
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202111271551.8
申请日：
2021-10-29
公开(公告)号：
CN114005835A
公开(公告)日：
2022-02-01
发明(设计)人：
华子群
胡思平
申请人：
申请人地址：
430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来三路88号
IPC主分类号：
H01L271157
IPC分类号：
H01L2711575
H01L2711582
代理机构：
深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570
代理人：
杨瑞
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-02-01 | 公开 | 公开 |
| 2022-02-22 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/1157 申请日:20211029 |