半导体装置,半导体单元和电力用半导体装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110105633.5

申请日：

2011-03-18

公开(公告)号：

CN102254895B

公开(公告)日：

2011-11-23

发明(设计)人：

寺前智

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L23498

IPC分类号：

H01L2300 H01L2349 H01L2518

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

胡建新

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-01-04	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101165562159 IPC(主分类):H01L 23/498 专利申请号:2011101056335 申请日:20110318
2011-11-23	公开	公开
2015-08-12	授权	授权
2018-04-06	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20110318 授权公告日:20150812 终止日期:20170318

共 50 条

[1]

电力用半导体装置 [P].

柳本辰则 ;

浅田晋助 ;

东久保耕一 .

中国专利 :CN109314063B ,2019-02-05

[2]

电力用半导体装置 [P].

中原贤太 ;

吉田博 .

中国专利 :CN105990277B ,2016-10-05

[3]

电力用半导体装置 [P].

别芝范之 ;

石井隆一 ;

福优 ;

山田隆行 ;

三井贵夫 .

中国专利 :CN107851639A ,2018-03-27

[4]

电力用半导体装置 [P].

神藏护 ;

高桥庆多 ;

春名延是 .

中国专利 :CN105934824B ,2016-09-07

[5]

半导体装置以及半导体单元 [P].

田村忍 ;

植松大地 .

日本专利 :CN118213340A ,2024-06-18

[6]

半导体元件和半导体装置 [P].

竹冈玲应奈 ;

金谷敏行 ;

吉本英史 .

中国专利 :CN115702484A ,2023-02-14

[7]

半导体装置以及半导体装置用外壳 [P].

三枝直树 ;

香月尚 .

中国专利 :CN204558442U ,2015-08-12

[8]

半导体装置 [P].

北岛由美惠 ;

柳本辰则 ;

新井规由 .

中国专利 :CN106663639B ,2017-05-10

[9]

半导体装置 [P].

梶勇辅 ;

三村研史 ;

原田耕三 ;

殷晓红 ;

原田启行 .

中国专利 :CN107210291A ,2017-09-26

[10]

半导体装置、半导体装置制造方法和半导体单元 [P].

横山孝司 ;

梅林拓 .

中国专利 :CN104425439A ,2015-03-18

← 1 2 3 4 5 →