一种半导体器件结构及其制造方法、半导体霍尔传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110276101.1

申请日：

2021-03-15

公开(公告)号：

CN113178519A

公开(公告)日：

2021-07-27

发明(设计)人：

王岗肖韩

申请人：

申请人地址：

311200 浙江省杭州市萧山区宁围街道钱江世纪公园C区1幢101室

IPC主分类号：

H01L4306

IPC分类号：

H01L4314 H01L4304

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司 11619

代理人：

刘贺秋

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 43/06 申请日:20210315
2021-07-27	公开	公开

共 50 条

[1]

垂直霍尔传感器及半导体器件 [P].

程晓峰 ;

边程浩 ;

谢伟军 .

中国专利 :CN121152549A ,2025-12-16

[2]

水平霍尔传感器及半导体器件 [P].

程晓峰 ;

周林 ;

边程浩 .

中国专利 :CN121152550A ,2025-12-16

[3]

半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法 [P].

黄莉雯 ;

方俊霖 ;

潘冠伶 ;

林炳豪 ;

李国政 ;

吴振铭 .

中国专利 :CN113594192B ,2025-07-29

[4]

半导体器件、半导体图像传感器及其制造方法 [P].

黄莉雯 ;

方俊霖 ;

潘冠伶 ;

林炳豪 ;

李国政 ;

吴振铭 .

中国专利 :CN113594192A ,2021-11-02

[5]

半导体传感器器件和制造半导体传感器器件的方法 [P].

弗兰兹·施兰克 ;

马丁·施雷姆斯 .

中国专利 :CN104704628B ,2015-06-10

[6]

半导体霍尔传感器 [P].

高冢俊德 .

中国专利 :CN100375308C ,2004-09-15

[7]

半导体传感器件及其制造方法 [P].

青野宇纪 ;

冈田亮二 ;

风间敦 ;

高田良晶 .

中国专利 :CN101427365A ,2009-05-06

[8]

传感器半导体器件和生产传感器半导体器件的方法 [P].

内博伊沙·内纳多维奇 ;

阿加塔·沙基奇 ;

米查·因特·赞特 ;

弗雷德里克·威廉·毛里茨·万赫尔蒙特 ;

希尔科·瑟伊 ;

罗埃尔·达门 .

中国专利 :CN108292634B ,2018-07-17

[9]

半导体传感器以及半导体传感器的制造方法 [P].

泷泽照夫 ;

近藤贵幸 ;

轰原正义 .

中国专利 :CN101493394A ,2009-07-29

[10]

半导体传感器及其制造方法 [P].

柴田佳彦 ;

井濑修史 .

中国专利 :CN1754270A ,2006-03-29

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