调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法

被引：0

申请号：

CN202211259815.2

申请日：

2022-10-14

公开(公告)号：

CN115572956A

公开(公告)日：

2023-01-06

发明(设计)人：

王瑞瀚王晓康许锐黄杰张宾

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市新吴区新洲路30号

IPC主分类号：

C23C16448

IPC分类号：

C23C1634 C23C16455 C23C1652 H01L2102

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/448 申请日:20221014
2023-01-06	公开	公开

共 50 条

[1]

调控晶圆原子层化学沉积薄膜厚度均匀性的方法 [P].

王瑞瀚 ;

王晓康 ;

许锐 ;

黄杰 ;

张宾 .

中国专利 :CN115572956B ,2024-09-17

[2]

控制晶圆沉积薄膜厚度均匀性的沉积设备及方法 [P].

刘丹 ;

耿超 .

中国专利 :CN118460990B ,2024-10-08

[3]

控制晶圆沉积薄膜厚度均匀性的沉积设备及方法 [P].

刘丹 ;

耿超 .

中国专利 :CN118460990A ,2024-08-09

[4]

改善原子层沉积薄膜均匀性的炉管机台 [P].

刘鹏杰 ;

张笑华 ;

张文文 .

中国专利 :CN213447296U ,2021-06-15

[5]

一种提高晶圆表面所沉积薄膜厚度均匀性的气相沉积设备 [P].

程勇鹏 ;

刘巾溆 ;

郑隆跃 ;

邓良耀 ;

高大为 .

中国专利 :CN118256897A ,2024-06-28

[6]

金属薄膜的原子层沉积方法 [P].

水谷文一 ;

东慎太郎 ;

竹泽直幸 .

中国专利 :CN110945157A ,2020-03-31

[7]

薄膜原子层沉积方法 [P].

田正豪 ;

李丹 ;

张渊明 ;

秦芳 .

中国专利 :CN120505605A ,2025-08-19

[8]

提高薄膜厚度均匀性的制备方法 [P].

屈鹏霏 ;

金鹏 ;

周广迪 ;

王镇 ;

王占国 .

中国专利 :CN114775043A ,2022-07-22

[9]

提高薄膜厚度均匀性的制备方法 [P].

屈鹏霏 ;

金鹏 ;

周广迪 ;

王镇 ;

王占国 .

中国专利 :CN114775043B ,2024-06-25

[10]

原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法 [P].

陈蓉 ;

曹坤 ;

严谨 ;

单斌 ;

李易诚 ;

胡嘉成 .

中国专利 :CN115198252B ,2024-04-23

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