非易失性半导体存储器件

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专利类型
发明
申请号
CN99102969.0
申请日
1999-03-11
公开(公告)号
CN1229250A
公开(公告)日
1999-09-22
发明(设计)人
小畑弘之
申请人
申请人地址
日本东京
IPC主分类号
G11C11407
IPC分类号
H01L218247
代理机构
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人
穆德骏;余朦
法律状态
专利权的终止未缴年费专利权终止
国省代码
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共 50 条
[21]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
鸟井智史 ;
水谷和宏 ;
野村俊雄 ;
浅野正义 ;
福冈郁人 ;
马渡博史 ;
高桥基 .
中国专利 :CN101517653A ,2009-08-26
[22]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
安田直树 .
中国专利 :CN101399291B ,2009-04-01
[23]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
梶本毅 .
中国专利 :CN101552038A ,2009-10-07
[24]
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松江一机 .
中国专利 :CN1551241A ,2004-12-01
[25]
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姜熙福 .
中国专利 :CN1992077A ,2007-07-04
[26]
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石丸哲也 ;
久本大 ;
安井感 ;
木村绅一郎 .
中国专利 :CN1677675A ,2005-10-05
[27]
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安田直树 .
中国专利 :CN103646962B ,2014-03-19
[28]
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有吉恵子 ;
高岛章 ;
菊地祥子 ;
村冈浩一 .
中国专利 :CN101378083B ,2009-03-04
[29]
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山崎信夫 ;
细井康成 ;
粟屋信义 ;
里真一 ;
田中研一 .
中国专利 :CN101553924B ,2009-10-07
[30]
非易失性半导体存储器件 [P]. 
有金刚 ;
久本大 ;
岛本泰洋 .
中国专利 :CN101373633A ,2009-02-25