碳化硅半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210128717.5

申请日：

2012-04-27

公开(公告)号：

CN102760768B

公开(公告)日：

2012-10-31

发明(设计)人：

渡边弘纪宫原真一朗杉本雅裕高谷秀史渡边行彦副岛成雅石川刚

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L29423 H01L2906 H01L2104

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈松涛;夏青

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101370319106 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2012101287175 申请日:20120427
2016-01-13	授权	授权
2012-10-31	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN105304713A ,2016-02-03

[2]

碳化硅半导体器件 [P].

增田健良 ;

日吉透 ;

和田圭司 .

中国专利 :CN102859697A ,2013-01-02

[3]

碳化硅半导体器件 [P].

斋藤雄 .

日本专利 :CN118648120A ,2024-09-13

[4]

碳化硅半导体器件 [P].

林秀树 .

中国专利 :CN103608914A ,2014-02-26

[5]

碳化硅半导体器件 [P].

和田圭司 ;

增田健良 ;

日吉透 .

中国专利 :CN103765594B ,2014-04-30

[6]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

斋藤雄 .

日本专利 :CN117693824A ,2024-03-12

[7]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

日吉透 .

中国专利 :CN105304702B ,2016-02-03

[8]

碳化硅半导体器件 [P].

内田光亮 ;

增田健良 ;

斋藤雄 .

日本专利 :CN117693823A ,2024-03-12

[9]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

日本专利 :CN111788661B ,2024-03-22

[10]

碳化硅半导体器件的制造方法和碳化硅半导体器件 [P].

大西徹 ;

朽木克博 ;

山本建策 .

中国专利 :CN111788661A ,2020-10-16

← 1 2 3 4 5 →