一种相变存储器单元结构、相变存储器阵列及驱动方法

被引：0

申请号：

CN202211143725.7

申请日：

2022-09-20

公开(公告)号：

CN115631776A

公开(公告)日：

2023-01-20

发明(设计)人：

解晨晨李喜王倩陈后鹏宋志棠

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

G11C114097

IPC分类号：

G11C114094 G11C11405

代理机构：

上海泰博知识产权代理有限公司 31451

代理人：

钱文斌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	公开	公开
2023-02-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/4097 申请日:20220920

共 50 条

[1]

相变存储器阵列、相变存储器单元及其形成方法 [P].

万旭东 ;

张步新 ;

吴关平 .

中国专利 :CN102487121B ,2012-06-06

[2]

相变存储器单元结构、相变存储器单元及其形成方法 [P].

黄洸汉 ;

杨智超 ;

J·C·阿诺德 ;

L·L·赫萨 ;

M·C·盖迪斯 ;

T·J·多尔顿 ;

C·J·拉登斯 ;

L·A·克莱文杰 .

中国专利 :CN101047230A ,2007-10-03

[3]

相变存储单元及相变存储器 [P].

柳鹏 ;

李群庆 ;

姜开利 ;

范守善 .

中国专利 :CN102231424A ,2011-11-02

[4]

相变存储单元及相变存储器 [P].

洪红维 ;

黄崇礼 .

中国专利 :CN102270505A ,2011-12-07

[5]

相变存储器单元 [P].

P·G·卡佩莱蒂 ;

G·纳瓦罗 .

中国专利 :CN113299825A ,2021-08-24

[6]

相变存储器单元 [P].

G·纳瓦罗 ;

C·德卡马雷特 .

法国专利 :CN120021410A ,2025-05-20

[7]

相变存储器单元 [P].

P·G·卡佩莱蒂 ;

G·纳瓦罗 .

法国专利 :CN113299825B ,2024-09-27

[8]

相变存储器单元的制备方法、相变材料及相变存储器单元 [P].

程国胜 ;

张杰 ;

孔涛 ;

黄荣 ;

卫芬芬 .

中国专利 :CN103904215A ,2014-07-02

[9]

相变存储器及其形成方法、相变存储器阵列 [P].

李莹 ;

吴关平 .

中国专利 :CN104078563A ,2014-10-01

[10]

相变存储器的制造方法及相变存储器 [P].

刘峻 ;

高王荣 ;

徐陈林 .

中国专利 :CN112614809A ,2021-04-06

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