氧化物半导体装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980048435.4

申请日：

2019-08-08

公开(公告)号：

CN112544004A

公开(公告)日：

2021-03-23

发明(设计)人：

汤田洋平绵引达郎宫岛晋介滝口雄贵

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L29872

IPC分类号：

H01L21329 H01L21363 H01L21365 H01L2906 H01L2924 H01L2947 H01L29861 H01L29868

代理机构：

中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038

代理人：

贾成功

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-09	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/872 申请日:20190808
2021-03-23	公开	公开

共 50 条

[1]

氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

汤田洋平 ;

绵引达郎 ;

宫岛晋介 ;

滝口雄贵 .

日本专利 :CN112544004B ,2024-08-16

[2]

氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法 [P].

汤田洋平 ;

绵引达郎 ;

古川彰彦 .

中国专利 :CN110809826A ,2020-02-18

[3]

氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

后藤哲也 ;

水村通伸 .

中国专利 :CN109716532A ,2019-05-03

[4]

氧化物半导体及其制造方法 [P].

兰林锋 ;

肖鹏 ;

彭俊彪 .

中国专利 :CN102832235A ,2012-12-19

[5]

互补金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

相奇 ;

H·钟 ;

J-S·古 ;

A·K·霍尔布鲁克 ;

J·S·千 ;

G·J·克拉思 .

中国专利 :CN100573851C ,2006-10-11

[6]

金属氧化物半导体装置及其制造方法 [P].

詹景琳 ;

吴锡垣 ;

林正基 ;

连士进 .

中国专利 :CN103730495A ,2014-04-16

[7]

包括氧化物半导体的半导体装置及其制造方法 [P].

车俊会 ;

金和莹 .

韩国专利 :CN120897487A ,2025-11-04

[8]

氧化物半导体膜及其制造方法 [P].

山崎舜平 .

中国专利 :CN105324509A ,2016-02-10

[9]

氧化物半导体膜及其制造方法 [P].

谷川幸登 ;

人罗俊实 .

中国专利 :CN109417037A ,2019-03-01

[10]

氧化物半导体膜及其制造方法 [P].

谷川幸登 ;

人罗俊实 .

日本专利 :CN109417037B ,2024-03-15

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