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包括氧化物半导体的半导体装置及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510114329.9
申请日：
2025-01-24
公开(公告)号：
CN120897487A
公开(公告)日：
2025-11-04
发明(设计)人：
车俊会 金和莹
申请人：
爱思开海力士有限公司
申请人地址：
韩国京畿道
IPC主分类号：
H10D30/67
IPC分类号：
H10D30/01 H01L23/48
代理机构：
北京弘权知识产权代理有限公司 11363
代理人：
李少丹;赵鹏华
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-11-04 公开 公开
2025-11-21 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/67申请日:20250124
共 50 条
[1]
包括氧化物半导体的半导体器件及其制造方法 [P]. 
车俊会 .
韩国专利 :CN118486702A ,2024-08-13
[2]
氧化物半导体层、氧化物半导体层的制造方法、半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
井坂史人 ;
佐藤优一 ;
大野敏和 ;
国武宽司 ;
村川努 .
日本专利 :CN119300428A ,2025-01-10
[3]
氧化物半导体层、半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P]. 
山崎舜平 ;
井坂史人 ;
佐藤优一 ;
大野敏和 ;
国武宽司 ;
村川努 .
日本专利 :CN119300442A ,2025-01-10
[4]
包括结晶的氧化物半导体的半导体器件及其制造方法 [P]. 
高东辰 .
韩国专利 :CN120456547A ,2025-08-08
[5]
氧化物半导体膜、包括该氧化物半导体膜的半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置 [P]. 
冈崎健一 ;
肥塚纯一 ;
生内俊光 ;
斋藤晓 ;
山崎舜平 .
中国专利 :CN107406966B ,2017-11-28
[6]
氧化物半导体装置以及氧化物半导体装置的制造方法 [P]. 
汤田洋平 ;
绵引达郎 ;
古川彰彦 .
中国专利 :CN110809826A ,2020-02-18
[7]
氧化物半导体及半导体装置 [P]. 
金子健太郎 ;
高根伦史 ;
人罗俊实 .
日本专利 :CN117751435A ,2024-03-22
[8]
氧化物半导体靶和氧化物半导体材料及半导体装置 [P]. 
若菜裕纪 ;
内山博幸 ;
福岛英子 .
中国专利 :CN103579360A ,2014-02-12
[9]
互补型金属氧化物半导体装置、半导体装置及其制造方法 [P]. 
葛崇祜 ;
柯志欣 ;
李文钦 .
中国专利 :CN101241913B ,2008-08-13
[10]
氧化物半导体及其制造方法 [P]. 
兰林锋 ;
肖鹏 ;
彭俊彪 .
中国专利 :CN102832235A ,2012-12-19
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