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互连结构及其制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201210553292.2
申请日
:
2012-12-18
公开(公告)号
:
CN103871962A
公开(公告)日
:
2014-06-18
发明(设计)人
:
周鸣
申请人
:
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区张江路18号
IPC主分类号
:
H01L21768
IPC分类号
:
H01L23532
代理机构
:
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人
:
骆苏华
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2017-12-29
授权
授权
2014-07-16
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583750546 IPC(主分类):H01L 21/768 专利申请号:2012105532922 申请日:20121218
2014-06-18
公开
公开
共 50 条
[1]
互连结构及其制造方法
[P].
周鸣
论文数:
0
引用数:
0
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0
周鸣
.
中国专利
:CN103871961A
,2014-06-18
[2]
互连结构的制造方法
[P].
周鸣
论文数:
0
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0
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0
周鸣
.
中国专利
:CN104078415A
,2014-10-01
[3]
一种空气隙/石墨烯互连结构及其制备方法
[P].
左青云
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左青云
;
李铭
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0
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李铭
;
曾绍海
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0
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0
曾绍海
.
中国专利
:CN102956611B
,2013-03-06
[4]
一种具有多孔介质层的金属互连结构
[P].
赵红英
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0
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赵红英
.
中国专利
:CN108376676B
,2018-08-07
[5]
一种相变导热结构及其制造方法
[P].
陈平
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机构:
广州华钻电子科技有限公司
广州华钻电子科技有限公司
陈平
;
高明智
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机构:
广州华钻电子科技有限公司
广州华钻电子科技有限公司
高明智
;
陈文化
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机构:
广州华钻电子科技有限公司
广州华钻电子科技有限公司
陈文化
;
卢付初
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机构:
广州华钻电子科技有限公司
广州华钻电子科技有限公司
卢付初
;
卿国芳
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机构:
广州华钻电子科技有限公司
广州华钻电子科技有限公司
卿国芳
.
中国专利
:CN115468444B
,2024-03-26
[6]
一种相变导热结构及其制造方法
[P].
陈平
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陈平
;
高明智
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高明智
;
陈文化
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陈文化
;
卢付初
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卢付初
;
卿国芳
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卿国芳
.
中国专利
:CN115468444A
,2022-12-13
[7]
多孔介质及其制造方法
[P].
根本纯司
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根本纯司
;
楚山智彦
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楚山智彦
;
齐藤继之
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齐藤继之
;
矶贝明
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矶贝明
.
中国专利
:CN104114479B
,2014-10-22
[8]
半导体结构及其形成方法
[P].
于海龙
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
于海龙
;
董信国
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
董信国
;
孟昭生
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
孟昭生
;
贾超超
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
贾超超
;
常靖华
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
常靖华
;
赵朵朵
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机构:
上海积塔半导体有限公司
上海积塔半导体有限公司
赵朵朵
.
中国专利
:CN119008521A
,2024-11-22
[9]
半导体结构及其形成方法
[P].
张冠群
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张冠群
;
李新磊
论文数:
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李新磊
.
中国专利
:CN112928062A
,2021-06-08
[10]
半导体结构及其形成方法
[P].
张冠群
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
张冠群
;
李新磊
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机构:
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
李新磊
.
中国专利
:CN112928062B
,2024-09-17
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