半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411090914.1

申请日：

2024-08-08

公开(公告)号：

CN119008521A

公开(公告)日：

2024-11-22

发明(设计)人：

于海龙董信国孟昭生贾超超常靖华赵朵朵

申请人：

上海积塔半导体有限公司

申请人地址：

201306 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/522

代理机构：

上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294

代理人：

陈丽丽

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-10	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20240808
2024-11-22	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

张冠群 ;

李新磊 .

中国专利 :CN112928062A ,2021-06-08

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

张冠群 ;

李新磊 .

中国专利 :CN112928062B ,2024-09-17

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

胡平 ;

金达 ;

洪明杰 ;

刘磊 ;

施雪捷 ;

陈志刚 ;

徐俊 ;

任保军 .

中国专利 :CN105448805A ,2016-03-30

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

邓浩 ;

周鸣 .

中国专利 :CN108573913A ,2018-09-25

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

马敬 ;

金子貴昭 .

中国专利 :CN110391179A ,2019-10-29

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN112310190A ,2021-02-02

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 .

中国专利 :CN104617093B ,2015-05-13

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

金吉松 .

中国专利 :CN115602726A ,2023-01-13

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

张海洋 ;

纪世良 ;

周玉华 .

中国专利 :CN112289687A ,2021-01-29

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN112951725A ,2021-06-11

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