一种具有低介电损耗的锆钛酸钡陶瓷材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710281878.0

申请日：

2017-04-26

公开(公告)号：

CN107056292A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

李玲霞孙正卢特乔坚栗

申请人：

申请人地址：

300072 天津市南开区卫津路92号

IPC主分类号：

C04B3549

IPC分类号：

代理机构：

天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201

代理人：

张宏祥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-18	公开	公开
2020-03-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01B 3/12 申请公布日:20170818
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747188709 IPC(主分类):C04B 35/49 专利申请号:2017102818780 申请日:20170426

共 50 条

[1]

一种具有高介电常数的锆钛酸钡陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玲霞 ;

孙正 ;

杜明昆 ;

卢特 .

中国专利 :CN106966721A ,2017-07-21

[2]

一种低介电损耗陶瓷材料及其制备方法 [P].

熊兆贤 ;

喻荣 ;

薛昊 ;

曹泽亮 ;

陈拉 ;

林一森 ;

叶何兰 ;

张国锋 ;

肖小朋 .

中国专利 :CN102584212A ,2012-07-18

[3]

一种低介电损耗压电陶瓷材料及其制备方法 [P].

李玉臣 ;

姚烈 ;

董显林 .

中国专利 :CN1781874A ,2006-06-07

[4]

一种低介电损耗的储能介质陶瓷材料及其制备 [P].

刘韩星 ;

雒文博 ;

郝华 ;

余志勇 ;

尧中华 ;

曹明贺 ;

郭丽玲 .

中国专利 :CN102674833B ,2012-09-19

[5]

一种巨介电常数低介电损耗的电介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

刘韩星 ;

李广耀 ;

郝华 ;

曹明贺 ;

陈卓 .

中国专利 :CN105777111A ,2016-07-20

[6]

镧钾共掺杂改性的锆钛酸钡基介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

王显威 ;

刘湘月 ;

石逍 ;

杨娅慧 ;

王小二 .

中国专利 :CN105218091A ,2016-01-06

[7]

超低介电损耗微波介电陶瓷材料及其制备方法 [P].

苏聪学 ;

覃杏柳 ;

张志伟 ;

苏启武 .

中国专利 :CN108002834B ,2018-05-08

[8]

一种低介电损耗氮化铝陶瓷材料及其制备方法 [P].

何冬霜 ;

姚相民 ;

马玉琦 ;

蔡德奇 ;

周斌 .

中国专利 :CN115368142A ,2022-11-22

[9]

一种低介电损耗微波介质陶瓷材料及其制备方法 [P].

覃杏柳 ;

苏聪学 ;

郑彬宁 ;

方亮 ;

刘来君 .

中国专利 :CN107721403A ,2018-02-23

[10]

一种巨介电常数、低介电损耗CCTO陶瓷材料及其制备方法 [P].

成鹏飞 ;

党子妍 ;

王丹 .

中国专利 :CN115321976A ,2022-11-11

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