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用于电镀晶片表面的装置和方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN02825978.5
申请日
:
2002-12-12
公开(公告)号
:
CN1630739A
公开(公告)日
:
2005-06-22
发明(设计)人
:
D·L·德库贝
申请人
:
申请人地址
:
荷兰艾恩德霍芬
IPC主分类号
:
C25D500
IPC分类号
:
C25D712
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司
代理人
:
吴立明;张志醒
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2005-06-22
公开
公开
2007-09-19
发明专利申请公布后的视为撤回
发明专利申请公布后的视为撤回
2005-08-17
实质审查的生效
实质审查的生效
共 50 条
[1]
检测晶片表面的装置和方法
[P].
苏黎克·沃尔夫冈
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苏黎克·沃尔夫冈
;
海登·麦可
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海登·麦可
.
中国专利
:CN1920540A
,2007-02-28
[2]
晶片检查系统中晶片表面的照明装置和方法
[P].
禾根康普·岱特雷夫
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禾根康普·岱特雷夫
.
中国专利
:CN1912453A
,2007-02-14
[3]
用于预清洁和加工晶片表面的方法和装置
[P].
谢祥金
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谢祥金
;
卡门·莱尔·塞万提斯
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卡门·莱尔·塞万提斯
;
陈枫
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陈枫
;
陈璐
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陈璐
;
许文静
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许文静
;
阿拉维德·卡马斯
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阿拉维德·卡马斯
;
振雄·马修·蔡
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振雄·马修·蔡
;
河泰泓
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河泰泓
;
亚历山大·詹森
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亚历山大·詹森
;
唐先敏
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唐先敏
.
中国专利
:CN114930519A
,2022-08-19
[4]
用于清洁晶片表面的吹气装置
[P].
陈宝龙
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陈宝龙
.
中国专利
:CN203508487U
,2014-04-02
[5]
采用臭氧清洗半导体晶片表面的装置和方法
[P].
容倍金
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容倍金
;
寅权丁
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寅权丁
;
政烨金
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政烨金
.
中国专利
:CN1729063A
,2006-02-01
[6]
结构晶片表面的改善方法
[P].
D·B·小彭德格拉斯
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D·B·小彭德格拉斯
.
中国专利
:CN1352589A
,2002-06-05
[7]
利用接近晶片表面的多个入口和出口干燥半导体晶片表面的方法和设备
[P].
约翰·M·德拉芮奥
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约翰·M·德拉芮奥
;
詹姆士·P·加西亚
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詹姆士·P·加西亚
;
卡尔·武德
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卡尔·武德
;
麦克·拉夫金
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麦克·拉夫金
;
弗利茨·雷德克
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弗利茨·雷德克
;
约翰·博伊德
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约翰·博伊德
;
阿夫辛·尼克宏
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阿夫辛·尼克宏
.
中国专利
:CN100431092C
,2005-02-09
[8]
用于清洁表面的装置和方法
[P].
T·约瑟夫森
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T·约瑟夫森
;
A·赛普克
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A·赛普克
;
C·孔蒂奥
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C·孔蒂奥
.
中国专利
:CN101426591A
,2009-05-06
[9]
用于冷却表面的装置和方法
[P].
B·W·米拉
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B·W·米拉
;
G·C·派比奥
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G·C·派比奥
;
M·K·玛尼昂
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M·K·玛尼昂
;
M·C·C·黄
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M·C·C·黄
.
中国专利
:CN107072810A
,2017-08-18
[10]
用于清洁表面的装置和方法
[P].
D·A·科茨
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D·A·科茨
;
R·W·鲍曼
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R·W·鲍曼
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M·A·德宾
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M·A·德宾
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E·A·戈登
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E·A·戈登
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A·C·斯克拉法尼
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A·C·斯克拉法尼
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A·P·通德
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A·P·通德
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W·H·小泰斯
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W·H·小泰斯
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T·T·赫特里克
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T·T·赫特里克
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D·A·布拉德肖
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D·A·布拉德肖
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E·A·莫勒
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E·A·莫勒
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W·J·凯勒姆
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W·J·凯勒姆
.
中国专利
:CN1768667A
,2006-05-10
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