一种低电阻率、高B值负温度系数热敏材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210570849.3

申请日：

2012-12-26

公开(公告)号：

CN103073267A

公开(公告)日：

2013-05-01

发明(设计)人：

刘倩朱金鸿李本文

申请人：

申请人地址：

274000 山东省菏泽市牡丹区兰州路369号

IPC主分类号：

C04B3501

IPC分类号：

C04B35622 C04B3564

代理机构：

济南泉城专利商标事务所 37218

代理人：

张贵宾

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-05-01	公开	公开
2014-07-02	授权	授权
2013-06-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101465120585 IPC(主分类):C04B 35/01 专利申请号:2012105708493 申请日:20121226
2019-02-12	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01C 7/04 登记生效日:20190121 变更事项:专利权人变更前权利人:山东中厦电子科技有限公司变更后权利人:山东摩信新材料科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:274000 山东省菏泽市牡丹区兰州路369号变更后权利人:274000 山东省菏泽市高新区万福办事处兰州路369号（中厦电子院内）

共 50 条

[1]

一种高电阻率、低B值负温度系数热敏材料及其制备方法 [P].

李本文 ;

任倜 ;

姜广国 ;

张洪峰 ;

肖立峰 ;

贾伟志 ;

刘倩 ;

朱金鸿 .

中国专利 :CN107140965B ,2017-09-08

[2]

一种低电阻率、高B值负温度系数热敏材料及其制备方法 [P].

陶明德 ;

唐本栋 ;

周军有 .

中国专利 :CN101618959A ,2010-01-06

[3]

一种低电阻率/高B值负温度系数热敏材料及其制备方法 [P].

陶明德 ;

刘倩 .

中国专利 :CN100567207C ,2008-04-09

[4]

高B值高电阻率负温度系数热敏电阻材料及其制备方法 [P].

康雪雅 .

中国专利 :CN104446391A ,2015-03-25

[5]

一种高电阻率低B值型负温度系数热敏电阻材料及其制备方法 [P].

王忠兵 ;

符豪 ;

张文军 ;

陈春年 .

中国专利 :CN113200735B ,2021-08-03

[6]

一种高电阻率低B值负温度系数热敏电阻材料 [P].

骆颖 ;

李旭琼 ;

刘心宇 .

中国专利 :CN101693617B ,2010-04-14

[7]

一种低电阻率高B值负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法 [P].

李栋才 ;

朱绍峰 ;

刘洋 ;

孙殿超 .

中国专利 :CN102674826B ,2012-09-19

[8]

一种低电阻率高B值负温度系数热敏陶瓷材料及其制备方法 [P].

卢振亚 ;

黄祖映 ;

陈志武 .

中国专利 :CN104193306B ,2014-12-10

[9]

高电阻率/低B值热敏材料及其制备方法 [P].

朱金鸿 ;

刘倩 ;

陶明德 ;

李本文 .

中国专利 :CN101492289B ,2009-07-29

[10]

一种低电阻率/高B值负温度系数热敏电阻芯片及其制造方法 [P].

陶明德 ;

刘倩 .

中国专利 :CN100583317C ,2008-02-06

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