氧化镓单晶和氧化镓单晶衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380019173.1

申请日：

2013-05-08

公开(公告)号：

CN104220650A

公开(公告)日：

2014-12-17

发明(设计)人：

会田英雄西口健吾小山浩司池尻宪次朗中村元一

申请人：

申请人地址：

日本国东京都足立区新田3丁目8番22号

IPC主分类号：

C30B2916

IPC分类号：

C30B1524

代理机构：

上海音科专利商标代理有限公司 31267

代理人：

周丽娟

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-08-15	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101757161662 IPC(主分类):C30B 29/16 专利申请号:2013800191731 申请公布日:20141217
2014-12-17	公开	公开
2015-01-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101594974459 IPC(主分类):C30B 29/16 专利申请号:2013800191731 申请日:20130508

共 50 条

[1]

三氧化二镓单晶衬底、三氧化二镓单晶的制造方法以及三氧化二镓单晶衬底的制造方法 [P].

石川幸雄 ;

谷崎圭祐 ;

羽木良明 .

日本专利 :CN121241171A ,2025-12-30

[2]

三氧化二镓单晶衬底、三氧化二镓单晶的制造方法以及三氧化二镓单晶衬底的制造方法 [P].

石川幸雄 ;

谷崎圭祐 .

日本专利 :CN120917188A ,2025-11-07

[3]

氧化镓单晶制备方法 [P].

张胜男 ;

霍晓青 ;

王英民 ;

王喆垚 ;

周金杰 ;

董增印 ;

李晖 ;

张嵩 ;

程红娟 .

中国专利 :CN119221101A ,2024-12-31

[4]

氧化镓单晶生长装置和方法 [P].

夏宁 ;

吴丹 ;

李成 .

中国专利 :CN118932478A ,2024-11-12

[5]

β型三氧化二镓单晶衬底、β型三氧化二镓单晶的制造方法以及β型三氧化二镓单晶衬底的制造方法 [P].

羽木良明 ;

谷崎圭祐 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN120641609A ,2025-09-12

[6]

氧化镓单晶生长炉 [P].

肖迪 .

中国专利 :CN111893574A ,2020-11-06

[7]

氧化镓单晶用研磨装置 [P].

贾立炳 ;

魏恽隆 ;

田京生 ;

纪晋岗 ;

魏爽 .

中国专利 :CN212632935U ,2021-03-02

[8]

一种氧化镓单晶的生长装置及氧化镓单晶生长方法 [P].

刘进 .

中国专利 :CN117626405A ,2024-03-01

[9]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

日本专利 :CN115087767B ,2024-02-20

[10]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN115087767A ,2022-09-20

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