三氧化二镓单晶衬底、三氧化二镓单晶的制造方法以及三氧化二镓单晶衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380096210.2

申请日：

2023-04-05

公开(公告)号：

CN120917188A

公开(公告)日：

2025-11-07

发明(设计)人：

石川幸雄谷崎圭祐

申请人：

住友电气工业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B29/16

IPC分类号：

C30B11/00

代理机构：

北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413

代理人：

袁波;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-11-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/16申请日:20230405
2025-11-07	公开	公开

共 50 条

[1]

三氧化二镓单晶衬底、三氧化二镓单晶的制造方法以及三氧化二镓单晶衬底的制造方法 [P].

石川幸雄 ;

谷崎圭祐 ;

羽木良明 .

日本专利 :CN121241171A ,2025-12-30

[2]

β型三氧化二镓单晶衬底、β型三氧化二镓单晶的制造方法以及β型三氧化二镓单晶衬底的制造方法 [P].

羽木良明 ;

谷崎圭祐 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN120641609A ,2025-09-12

[3]

坩埚、使用其的β型三氧化二镓单晶衬底的制造方法以及β型三氧化二镓单晶衬底 [P].

羽木良明 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN120826501A ,2025-10-21

[4]

氧化镓单晶和氧化镓单晶衬底 [P].

会田英雄 ;

西口健吾 ;

小山浩司 ;

池尻宪次朗 ;

中村元一 .

中国专利 :CN104220650A ,2014-12-17

[5]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

日本专利 :CN115087767B ,2024-02-20

[6]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN115087767A ,2022-09-20

[7]

高纯度三氧化二镓及其制造方法 [P].

石川幸雄 ;

羽木良明 .

日本专利 :CN119907776A ,2025-04-29

[8]

砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法 [P].

羽木良明 ;

中井龙资 .

中国专利 :CN101451265A ,2009-06-10

[9]

氮化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 ;

松岛政人 .

中国专利 :CN1148810C ,1999-12-08

[10]

砷化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

三桥史典 ;

足立真宽 ;

斋藤吉广 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN120883325A ,2025-10-31

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