高纯度三氧化二镓及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202280099389.2

申请日：

2022-09-07

公开(公告)号：

CN119907776A

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

石川幸雄羽木良明

申请人：

住友电气工业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C01G15/00

IPC分类号：

C04B35/01 C30B29/16

代理机构：

北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413

代理人：

邵秋雨;刘继富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01G 15/00申请日:20220907
2025-04-29	公开	公开

共 50 条

[1]

三氧化二镓单晶衬底、三氧化二镓单晶的制造方法以及三氧化二镓单晶衬底的制造方法 [P].

石川幸雄 ;

谷崎圭祐 ;

羽木良明 .

日本专利 :CN121241171A ,2025-12-30

[2]

三氧化二镓单晶衬底、三氧化二镓单晶的制造方法以及三氧化二镓单晶衬底的制造方法 [P].

石川幸雄 ;

谷崎圭祐 .

日本专利 :CN120917188A ,2025-11-07

[3]

β型三氧化二镓单晶衬底、β型三氧化二镓单晶的制造方法以及β型三氧化二镓单晶衬底的制造方法 [P].

羽木良明 ;

谷崎圭祐 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN120641609A ,2025-09-12

[4]

高纯度三氧化二钛的制备方法 [P].

雷雨婷 .

中国专利 :CN109775754A ,2019-05-21

[5]

坩埚、使用其的β型三氧化二镓单晶衬底的制造方法以及β型三氧化二镓单晶衬底 [P].

羽木良明 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN120826501A ,2025-10-21

[6]

制备超高纯度三氧化二钇的中间载体 [P].

邹雪芳 .

中国专利 :CN1238307A ,1999-12-15

[7]

基于氧化镍/β-三氧化二镓异质结的紫外探测器及其制备方法 [P].

唐利斌 ;

项金钟 ;

贾梦涵 ;

姬荣斌 .

中国专利 :CN110729376A ,2020-01-24

[8]

一种α-羟基氧化镓纳米线、α-三氧化二镓纳米线晶体材料及其制备方法和应用 [P].

滕越 ;

聂元弘 ;

吴自强 ;

王缔 ;

张红 ;

谢恒 ;

励刚 ;

陈国宏 ;

徐斌 ;

刘鑫 ;

汤伟 ;

丁津津 ;

夏鹏 ;

谢毓广 .

中国专利 :CN118684262A ,2024-09-24

[9]

三氧化二镓-吸附剂复合材料及其制备方法和用途 [P].

杨倩 ;

韩英 ;

彭树文 ;

马海瑛 .

中国专利 :CN109772260A ,2019-05-21

[10]

一种三氧化二镓日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

刘可为 ;

孙璇 ;

申德振 ;

陈星 ;

张振中 ;

李炳辉 .

中国专利 :CN111628019B ,2020-09-04

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