一种量子点复合材料、制备方法及半导体器件

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201611255822.X
申请日
2016-12-30
公开(公告)号
CN108264900A
公开(公告)日
2018-07-10
发明(设计)人
钱磊 杨一行 刘政
申请人
申请人地址
516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区
IPC主分类号
C09K1188
IPC分类号
C09K1156 C09K1102 B82Y2000 B82Y3000 B82Y4000 H01L5150
代理机构
深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268
代理人
王永文;刘文求
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种纳米复合材料、制备方法及半导体器件 [P]. 
杨一行 ;
刘政 ;
钱磊 .
中国专利 :CN108269891B ,2018-07-10
[2]
一种量子点材料、制备方法及半导体器件 [P]. 
杨一行 ;
刘政 ;
钱磊 .
中国专利 :CN108264905A ,2018-07-10
[3]
一种量子点材料、制备方法及半导体器件 [P]. 
杨一行 ;
刘政 ;
钱磊 .
中国专利 :CN108269886A ,2018-07-10
[4]
一种量子点复合材料、WLED器件及制备方法 [P]. 
王昌聪 ;
谢斌 ;
董思远 ;
杨烜 ;
成子巍 .
中国专利 :CN118486766A ,2024-08-13
[5]
量子点复合材料及其制备方法,量子点发光器件 [P]. 
叶炜浩 .
中国专利 :CN113754978A ,2021-12-07
[6]
一种量子点、量子点复合材料及其制备方法 [P]. 
赵治强 ;
高晓斌 ;
赵柏羽 ;
阴德贺 .
中国专利 :CN114479834A ,2022-05-13
[7]
制备石墨烯/半导体量子点复合材料的方法 [P]. 
程萍 ;
蓝天 ;
余家龙 ;
王俊飞 ;
陈瑞昊 ;
郭守武 .
中国专利 :CN101913600A ,2010-12-15
[8]
一种量子点复合材料及制备方法 [P]. 
陈开敏 ;
杨一行 .
中国专利 :CN109957391A ,2019-07-02
[9]
量子点复合材料、其制备方法及含有其的发光器件 [P]. 
王海琳 ;
兰允健 ;
赵飞 .
中国专利 :CN110734756A ,2020-01-31
[10]
量子点复合材料及其制备方法、发光器件 [P]. 
吴劲衡 ;
吴龙佳 ;
何斯纳 .
中国专利 :CN114479826A ,2022-05-13