一种纳米复合材料、制备方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611259353.9

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN108269891B

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

杨一行刘政钱磊

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

IPC主分类号：

H01L3304

IPC分类号：

H01L3300 H01L3326 B82Y4000

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-18	授权	授权
2018-07-10	公开	公开
2021-05-04	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 33/04 变更事项:申请人变更前:TCL集团股份有限公司变更后:TCL科技集团股份有限公司变更事项:地址变更前:516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区变更后:516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
2018-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/04 申请日:20161230

共 50 条

[1]

一种量子点复合材料、制备方法及半导体器件 [P].

钱磊 ;

杨一行 ;

刘政 .

中国专利 :CN108264900A ,2018-07-10

[2]

一种纳米发光材料、制备方法及半导体器件 [P].

刘政 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108264894A ,2018-07-10

[3]

一种合金纳米材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269930A ,2018-07-10

[4]

一种发光材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 ;

程陆玲 .

中国专利 :CN108264904A ,2018-07-10

[5]

一种纳米材料、制备方法及半导体器件 [P].

刘政 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269934A ,2018-07-10

[6]

一种量子点材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269886A ,2018-07-10

[7]

一种量子点材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108264905A ,2018-07-10

[8]

铋系半导体纳米复合材料以及制备方法、应用 [P].

陈天翔 ;

胡嘉鹏 ;

吴爱国 ;

房倩兰 .

中国专利 :CN113772725A ,2021-12-10

[9]

包括复合材料夹的半导体器件 [P].

T·贝默尔 ;

M·格鲁贝尔 ;

T·沙夫 .

中国专利 :CN110416179A ,2019-11-05

[10]

包括复合材料夹的半导体器件 [P].

T·贝默尔 ;

M·格鲁贝尔 ;

T·沙夫 .

德国专利 :CN110416179B ,2025-07-08

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