一种发光材料、制备方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611259500.2

申请日：

2016-12-30

公开(公告)号：

CN108264904A

公开(公告)日：

2018-07-10

发明(设计)人：

杨一行刘政钱磊程陆玲

申请人：

申请人地址：

516006 广东省惠州市仲恺高新技术开发区十九号小区

IPC主分类号：

C09K1188

IPC分类号：

C09K1156 C09K1102 B82Y2000 B82Y3000 B82Y4000 H01L5150

代理机构：

深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268

代理人：

王永文;刘文求

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-08-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09K 11/88 申请日:20161230
2018-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种纳米发光材料、制备方法及半导体器件 [P].

刘政 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108264894A ,2018-07-10

[2]

一种量子点材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269886A ,2018-07-10

[3]

一种量子点材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108264905A ,2018-07-10

[4]

一种纳米复合材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269891B ,2018-07-10

[5]

一种合金纳米材料、制备方法及半导体器件 [P].

杨一行 ;

刘政 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269930A ,2018-07-10

[6]

一种半导体复合发光材料、制备方法及发光器件 [P].

李良 ;

郑为霖 ;

何梦达 ;

孔龙 .

中国专利 :CN114163997A ,2022-03-11

[7]

一种半导体材料、半导体器件及制备方法 [P].

查显弧 ;

张道华 ;

万玉喜 ;

李翔 .

中国专利 :CN118621440B ,2024-11-22

[8]

一种半导体材料、半导体器件及制备方法 [P].

查显弧 ;

张道华 ;

万玉喜 ;

李翔 .

中国专利 :CN118621440A ,2024-09-10

[9]

具有漏斗型能级结构的发光材料、制备方法及半导体器件 [P].

刘政 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108264901B ,2018-07-10

[10]

一种纳米材料、制备方法及半导体器件 [P].

刘政 ;

杨一行 ;

钱磊 .

中国专利 :CN108269934A ,2018-07-10

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